公开(公告)号：CN210245515U

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201921000730.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  朱啟芬 ,  冯向 ,  黄凯 ,  康俊勇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  G02B5/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本实用新型提供一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器，其结构从下至上包括：衬底、缓冲层、超短周期超晶格及金属电极；超短周期超晶格包括设置在超短周期超晶格的纳米孔阵，以及金属纳米颗粒；金属纳米颗粒注入在纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面，颗粒尺寸可调控；金属电极设置在超短周期超晶格上，形成肖特基接触。本实用新型通过在有序分布的纳米孔阵中形成金属纳米颗粒再在其上设置金属电极，避免了超短周期超晶格吸收层载流子隧穿能力较弱问题，又利用产生的局域表面等离激元效应，增强深紫外光的吸收，最终提高深紫外MSM探测器的量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208399714U

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201820793672.6

申请日：2018-05-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  卢诗强 ,  葛树成 ,  冯向 ,  黄凯 ,  康俊勇

IPC: G02B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的氮化物电介质结构，包括：衬底；AlN缓冲层，设置于衬底之上；超晶格层，覆盖于缓冲层之上；所述超晶格层由AlN层和GaN层周期性交替层叠形成；所述超晶格层上刻蚀形成若干孔洞，所述孔洞的形状为倒六棱台或倒六棱锥。本实用新型实现大面积、亚波长量级的小尺寸光子晶体的六棱锥、六棱台结构，形状更为复杂，以更加精确地调控光子的运动。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208062084U

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201820553183.3

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  冯向 ,  卢诗强 ,  黄凯 ,  陈航洋 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本实用新型通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本实用新型通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利