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公开(公告)号：CN115933327A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211584595.0
申请日：2022-12-09
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及半导体微纳器件加工制造技术领域，本发明提供一种对准套刻装置，其包括转台、位移装置、对准图案采集系统和对准图案分析系统，转台上放置有样片，位移装置连接转台的底部用于将转台位移至指定位置，对准图案采集系统对准转台，用于获取样片的图像，样片的图像至少包括阵列结构轮廓，对准图案分析系统耦接对准图案采集系统，用于将获得的阵列结构轮廓与预设标准图案进行比对，以判断样片是否对准，当判断样片处于未对准状态时，转台进行转动调节，直至样片处于对准状态。借此，无需在掩膜版和样片上加工多个标记来进行对准，便可以实现整个样片的图像对准，省去多个高精度相机反复调整寻找对准标记的繁杂步骤，使对准套刻工艺更高效。
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公开(公告)号：CN113437191B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
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公开(公告)号：CN114383821A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111665174.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了基于三维成像的微小尺寸LED芯片测试系统，其构成包括压电驱控六轴探针台、马达驱控器、支架、底座、显微相机、信号采集器、光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机；本发明压电驱控六轴台以小步进发生位移，同步结合三维显微成像实现探针与芯片的精准定位，所述三维成像包括正面和截面显微成像，根据观测到的成像可以对探针与芯片的局部接触进行全方位控制；微芯片阵列在不同工作区间的整体出射光强度、光谱分布信息及电学特性，可通过数字源表光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机等测量组件获得，特别是运用机器视觉对图像的深度处理，有效实现了对高密度微LED阵列中单元器件发光均匀性的快速识辨及分析。
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公开(公告)号：CN111293134A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上通过图形化光刻、感应耦合等离子体刻蚀等技术，形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成发光波长分别为580～680nm、480～580nm及380～480nm的红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明极大地简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，且可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
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公开(公告)号：CN108878547B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810708469.9
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103474503B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN103346232A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310268722.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n-AlGaN层上设有n型电极，在p-GaN盖层上设有p型电极。在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号：CN102820398A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210319019.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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公开(公告)号：CN113471340A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110570218.0
申请日：2021-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电半导体领域，特别涉及一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro‑LED及其制备方法。所述micro‑LED自下而上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓层、p型有源层、绝缘层、电流扩展层以及金属纳米颗粒结构；金属纳米颗粒结构表面设有延伸至p型有源层表面的开口，以使p型有源层表面形成外露区域，外露区域表面设有p型欧姆接触电极，金属纳米颗粒结构的表面设有n型欧姆接触电极。本发明提供的micro‑LED能够有效提高器件的载流子复合速率和复合效率，且有效载流子寿命减小，使该器件的调制带宽大大增加，这将扩展该micro‑LED在光通信中的应用。
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公开(公告)号：CN113437191A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
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