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公开(公告)号：CN114284341A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111562829.7
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法，该SIC肖特基二极管包括N+衬底，N+衬底上生长有N‑外延，N‑外延上有肖特基接触金属及其上方的正面金属电极，N+衬底背面的欧姆接触金属。肖特基势垒的终端设有环形终端沟槽，终端沟槽内设有二氧化硅侧壁，终端沟槽内用多晶填充，正面金属电极边缘设有二氧化硅场板。本发明使用沟槽方式终止肖特基源区，使得终端截止不再依赖反型注入，降低了成本及工艺复杂程度，同时改善了终端电场局部集聚效应。
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公开(公告)号：CN114284223A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111295563.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种用于嵌入式功率芯片散热的歧管式微通道结构，包括：歧管基板，微通道基板，冷却液进口，入口缓冲区，入口段，歧管进液通道，歧管出液通道。本发明采用歧管式微通道结构，缩短了冷却液在微通道中的流动长度，进而降低了冷却液的沿程流动阻力；利用热力入口段效应增强传热系数；采用HU进出口流型提高功率芯片表面均温性，减少热点发生，提高芯片表面的散热能力，进而可提高功率芯片的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN112201686B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010935114.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区，其中在超级结器件的相同深度处，各个超级结之间的宽度等于或大于有源区边缘靠近终端的超级结与终端的侧壁之间的宽度。该终端包括宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该终端注入区包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区，其中下注入区的宽度小于上注入区的宽度。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN112420807B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011215400.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。本发明的结构在实现阻断时终端区呈现负电荷的基础上，调制了终端区负电荷的空间分布，实现了终端区更均匀的电场分布，最终提高了器件终端的耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113389A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110327578.8
申请日：2021-03-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 公开了一种具有低近场辐射EMI噪声的功率模块，尤其是功率模块内部DBC结构上层铜箔布线的栅‑源极路径结构设计，其中DBC结构上层铜箔中的“L”形的栅极路径和源极路径均对称分布于功率模块长轴中心线两侧，栅极路径布局于模块外侧区域，源极路径布局于更接近模块中心的区域；单个桥臂的DBC结构上层铜箔中的栅极路径组合和源极路径组合均呈“匚”形；上桥栅极路径组合和下桥栅极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧，上桥源极路径组合和下桥源极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧并嵌套于栅极路径组合内部。提出的栅‑源极路径结构设计可降低功率模块的近场辐射EMI噪声。
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公开(公告)号：CN112687632A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011585111.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 公开了一种功率模块的结构设计，尤其是功率模块内部的栅‑源极路径的布局方案及其结构设计，其中上桥的栅‑源极路径呈“I”形平行于功率模块的短轴中心线，且紧挨信号端子布局，而下桥的栅‑源极路径呈“T”形且对称的分布于功率模块的长轴中心线两侧，提出的栅‑源极路径的布局方案及其结构设计改善了功率模块在开关瞬态的动态均流特性。
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公开(公告)号：CN111354780A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010196037.1
申请日：2020-03-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 公开了一种带有反型注入的超级结终端及其制作方法。所述侧壁注入形成的超级结终端包括外延柱、反型注入侧壁和沟槽，外延柱和沟槽是在衬底上通过外延生长形成的具有掺杂的半导体区域，通过刻蚀形成，反型注入侧壁通过在沟槽侧壁进行离子注入形成，沟槽与外延柱区相间排列，位于两个相邻外延柱区之间。该带有反型注入的超级结终端可以在器件阻断电压时使有源区边缘电场分布比较均匀，从而提高边缘区域耐压，充分发挥有源区的耐压能力。
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公开(公告)号：CN103035590A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210569263.5
申请日：2012-12-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/13
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有高散热性能的IGBT功率模块，包括芯片、导热绝缘基板、基板，导热绝缘基板由上敷铜层、陶瓷层、下敷铜层组成，下敷铜层的厚度为1.5-2.0mm。本发明通过改变传统IGBT模块结构中材料的尺寸参数，提高了IGBT模块的散热性能，克服了背景技术中传统的IGBT模块存在的缺陷。本发明的IGBT功率模块和传统的IGBT功率模块相比，散热面积增大2-3倍，散热效率提高2-3倍。
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公开(公告)号：CN119584572A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411671044.7
申请日：2024-11-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H10D62/83 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种提升SiC MOSFET沟道迁移率及栅介质层可靠性的工艺方法，包括采用离子注入在外延层上形成沟道层；采用牺牲氧化的方式对SiC外延层进行表面处理；采用低压化学气相沉积工艺在SiC表面形成SiO2作为栅介质层；对栅介质层进行NO后沉积退火工艺。本发明形成的SiC/SiO2的界面粗糙度降低，避免了传统热氧化中产生碳团簇与碳颗粒的问题，降低了界面态密度，从而增强了沟道载流子迁移率；此外，采用分步低压化学气相沉积工艺，在两段或多段沉积工艺间隙进行栅介质层致密，充分分解沉积中前驱体的残留物，释放栅介质层应力，降低了栅介质层的漏电水平，增强了栅介质层的可靠性，提升器件良率。
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