公开(公告)号：CN119227673A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411291165.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 中国船舶集团有限公司第七一九研究所 ,  浙江大学

Inventor： 陈源宝 ,  王文海 ,  刘宇 ,  刘君茗 ,  张强 ,  黎烽云 ,  谢刚

IPC: G06F40/211 ,  G06F40/216 ,  G06F8/30 ,  G06N20/00

Abstract: 本申请属于软件工程和深度学习安全技术领域，尤其涉及一种基于补丁及大语言模型的深度学习库数值不稳定问题检测及修复方法。提取补丁的补丁描述及补丁中的程序语句，获取补丁相关程序切片；利用大语言模型对该补丁与数值不稳定问题的相关性进行判断，获取与数值不稳定问题相关的补丁；设计适用于应用大语言模型进行深度学习库数值不稳定问题检测的题词模板；利用最佳题词模板，识别深度学习库中的数值不稳定问题；查询与检测出的数值不稳定问题相似的历史补丁，确定其与当前数值不稳定问题的相似性；根据检测结果和相似补丁的分析结果，利用大语言模型生成针对检测出的数值不稳定问题的修复补丁，并提供修复方案。

公开(公告)号：CN106298908A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610633129.5

申请日：2016-08-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 谢刚 ,  李雪阳 ,  侯明辰 ,  盛况

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种阈值电压可调的GaN基增强型高电子迁移率晶体管。本发明在衬底上从下至上依次涂覆有GaN缓冲层和AlGaN势垒层，GaN缓冲层和AlGaN势垒层的一侧边缘刻蚀有沟槽，在沟槽底的GaN缓冲层上表面覆有金属源电极，在AlGaN势垒层上表面远离沟槽一侧边缘覆有金属漏电极，在金属漏电极与金属源电极之间涂覆有绝缘电介质，且绝缘电介质完全覆盖源电极；位于垂直导电沟道附近的绝缘电介质上涂覆有栅极金属。本发明通过垂直沟道的深度来降低沟道电阻，通过离子注入和表面处理及栅极金属的选择上调节HEMT器件阈值电压，使其能够更好地满足中低压(低于600V)功率应用需求。

公开(公告)号：CN105226088A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510563513.8

申请日：2015-09-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 谢刚 ,  王柳敏 ,  王珩宇 ,  盛况

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，公开了一种带有P型柱体的阳极N+\P+交叠短路的超快速高压SOI LIGBT器件，包括衬底、阳极P+区、阳极N+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、阴极P+区、阴极P型体区、P型沟道区、发射极N+区、阴极金属、多晶硅栅、LIGBT器件栅氧化层、多晶硅栅金属和第一P型柱体区、第二P型柱体区。本发明的超快速高压SOI LIGBT的有益效果是、关断速度的加快、负阻现象NDR（Negative Differential Resistance）的消除、正向导通压降的减小以及关断时器件耐压的提升。

公开(公告)号：CN104347695A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326456.2

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  盛况 ,  陈琛 ,  崔京京

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0646

Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率的晶体管，其衬底下增加埋层承受一定纵向电压，其掺杂类型与衬底掺杂类型相反。当器件承受高压时，其衬底相当于一个反偏二极管，承受大部分电压。可以使得该半导体装置的纵向耐压能力获得增强，因此可以通过优化器件横向尺寸及结构提高器件综合耐压。

公开(公告)号：CN104347522A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326457.7

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  陈琛 ,  盛况 ,  崔京京

IPC: H01L21/8258

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明公开了一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，本发明的半导体装置为采用III-V族半导体材料的高电子迁移率器件，通过一定的方法在利用SOI技术，将基于 晶向硅材料衬底的高耐压的GaN半导体器件和基于 晶向硅材料的低压器件进行单片功率集成的目的。该方法结构应用于基于不同材料的混合型智能功率集成电路。

公开(公告)号：CN103887267A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210570401.1

申请日：2012-12-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 谢刚 ,  仲雪倩 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种具有新型焊线的电力电子功率模块装置。本发明采用具有低膨胀系数的金属材料代替传统铝材料，作为电力电子功率模块装置中用于芯片之间或芯片与电极之间相连接的引线。具有新型焊线的电力电子功率模块装置有效地解决了传统铝焊线与其接合材料的交界面上热应力过大的问题，改善了高温工作条件下金属焊线的安全性，有效提高了整个功率模块的使用寿命。

公开(公告)号：CN103887253A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210570371.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王柳敏 ,  汪涛 ,  郭清 ,  谢刚

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种DBC板覆铜片的新型结构设计，公开了一种用矩形齿状铜片取代密合矩形铜片的方法。这种设计为铜片在吸收热量后发生的膨胀或形变提供足够的空间，利于散热，保证模块的可靠性。

公开(公告)号：CN103035590A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210569263.5

申请日：2012-12-25

Applicant: 浙江大学

Inventor： 任娜 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清 ,  谢刚

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有高散热性能的IGBT功率模块，包括芯片、导热绝缘基板、基板，导热绝缘基板由上敷铜层、陶瓷层、下敷铜层组成，下敷铜层的厚度为1.5-2.0mm。本发明通过改变传统IGBT模块结构中材料的尺寸参数，提高了IGBT模块的散热性能，克服了背景技术中传统的IGBT模块存在的缺陷。本发明的IGBT功率模块和传统的IGBT功率模块相比，散热面积增大2-3倍，散热效率提高2-3倍。

公开(公告)号：CN101302152B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200810062425.X

申请日：2008-06-06

Applicant: 浙江华联三鑫石化有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 成有为 ,  郭霞 ,  谢刚 ,  徐海波 ,  王丽军 ,  李希 ,  李玲

IPC: C07C63/26 ,  C07C51/42

Abstract: 本发明公开了采用络合结晶从有色对苯二甲酸残渣中回收对苯二甲酸的方法，该方法首先将对苯二甲酸残渣与络合结晶溶剂在络合结晶器混合，然后控制温度在10～120℃，使纯净的对苯二甲酸产品以溶剂络合物结晶的形式析出，而有色杂质则富集在溶液中。该方法可有效去除对苯二甲酸残渣中的有色杂质，回收的对苯二甲酸产品具有较高的颜色品质。使用该方法可有效降低PTA生产过程中固体废弃物的排放，保护环境，还可以降低原料消耗和生产成本，提高经济效益。

公开(公告)号：CN103730518A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210391027.9

申请日：2012-10-16

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  汤岑 ,  陈琛 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清 ,  崔京京

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流导通能力和高耐压的半导体装置及其制备方法。本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的肖特基势垒二极管，具有倾斜金属场板的结构和增强层III-V半导体材料层。正向导通时，通过电导调制作用使得该半导体装置在正偏时的导通能力获得提升。反偏时，带有掺杂的增强层通过对2DEG的调制从而使得耐压能力获得提高。因此可以实现比传统肖特基势垒二极管更低的导通电阻Ron和更高的击穿电压Vbr。该结构适合应用于平面结构的功率器件。