公开(公告)号：CN101178515A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710179030.3

申请日：2007-12-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  刘佳尧 ,  钱可元 ,  韩彦军

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1333 ,  F21V5/04

Abstract: 本发明公开了属于发光二极管背光源技术的一种基于发光二极管的直下主动式动态背光源结构，采用三维自由表面透镜封装发光二极管芯片。使得各个发光二极管出射的光被限制在一个较小的给定形状的区域，并采用特定的发光二极管排布方式，形成一个具有较大面积的均匀照度分布，而且可以根据需要通过增加或减少LED数量来扩大或缩小尺寸，从而实现各种尺寸的直下主动式动态背光源。本发明解决了传统边发射式LED背光源显示质量不高，功耗大的缺点，适用于未来高清液晶彩电画质及高动态范围影像的需求，可以满足人类社会对节能的需求。

公开(公告)号：CN101067663A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710118965.0

申请日：2007-06-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  赵小莹 ,  韩彦军 ,  钱可元

IPC: G02B3/00 ,  G02B27/00 ,  H01L33/00

Abstract: 一种用于LED光源的透镜，属发光二极管封装和应用技术领域。透镜包括一个上表面，四个侧面和一个下表面；上表面为光线出射面；底面为LED光源光线入射面；四个侧面由两对对称曲面构成，入射其上的光线全部产生全内反射；每对侧表面的横截面上的曲线满足条件：使投射在该侧表面上的光线都发生全内反射并且该反射使光线出射后在相应侧表面的横截面上的投影相对上表面法向的夹角小于θc；入射到侧表面的光线经侧表面反射后再入射到透镜上表面，与不经全内反射直接出射的光线一起经过折射射出透镜；这样从LED光源发出的光经过透镜后将在远场形成一个矩形、正方形或条状的光照范围，达到发明目的。

公开(公告)号：CN1928624A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610113463.4

申请日：2006-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  钱可元 ,  王霖 ,  韩彦军

IPC: G02B27/00 ,  G02B3/00

Abstract: 一种三维光学透镜的设计方法及透镜涉及非成像光学中三维给定照度分布光学设计技术领域。其特征在于，该方法是根据能量守恒定律，在计算机中，将光源的能量与照度平面的能量划分为能量对应相等的若干小区域，然后在一条出射光线与与之能量对应相等的照度平面上的点之间任选一点作为待求解的透镜表面的一个初始点，结合光源和照度平面的能量划分结果，利用叠代求解的方法求解出透镜表面所有离散点的坐标和法向矢量，从而确定了一个透镜表面。本发明与现有的照明技术相比，具有高效、节能和使用灵活方便的特点，在各种照明场合，如道路照明，景观照明和显示器背光源照明等，都有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1844988A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610002143.1

申请日：2006-01-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  钱可元 ,  杨毅 ,  韩彦军

IPC: G02F1/13357 ,  H01L33/00 ,  G02B27/00

Abstract: 一种拼装而成的均匀面光源属于发光二极管封装和应用技术领域。其特征在于，它是由多块基于发光二极管的面光源模块水平拼装而成的面光源，所述每一块面光源模块含有，发光二极管光源，和使所述发光二极管光源发出的光经过折射和/或反射后，在出射平面上产生近似均匀的照度，并且出射的方向与光的中轴平行的匀光－准直光学机构。本发明可以在兼顾高效率的前提下获得良好的出光均匀性，在个人计算机、车辆导航系统、手持电话等设备中安装的液晶显示装置的背光源，以及普通的室内照明用灯具等应用方面具有广阔的前景。

公开(公告)号：CN1707820A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510011661.5

申请日：2005-04-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  韩彦军

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明属于氮化镓基发光器件的制作领域，其特征是通过在衬底材料和部分外延层中或仅在衬底材料中形成槽孔，并填充以热导率比衬底材料热导率高的材料来有效降低器件的热阻，从而提高包括LED发光效率等在内的器件各项性能指标。本发明有效消除了衬底材料热导率低或热膨胀系数失配等弊端，可获得高性能的GaN基发光器件。

公开(公告)号：CN1664433A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510011451.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  周长波 ,  杨毅 ,  韩彦军

IPC: F21S2/00 ,  F21V29/00 ,  F21W131 ,  F21Y101

Abstract: 一种紧凑式大功率LED阵列，属于发光二极管的应用技术领域，其特征在于，它在出光平面方向由多个LED阵列单元水平拼装而成，每个LED阵列单元含有厚达数厘米且用高热导率材料制成的底板，固定在底板正面的集群式LED，从底板背面或侧面开的孔中插入的集群式热管以及固定在热管冷凝端的散热片。本发明中底板温度均匀，系统热阻小，能维持上百个LED协同稳定地工作，形成数千流明的光源，结构简洁，适用于居家、道路照明等。

公开(公告)号：CN1490850A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03157390.8

申请日：2003-09-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  韩彦军 ,  薛松 ,  胡卉 ,  郭文平 ,  邵嘉平 ,  孙长征 ,  郝智彪

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/12

Abstract: 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl2/N2/O2这三种气体混合而形成的反应气体生成的等离子体而进行刻蚀，可获得高的刻蚀选择比和高的GaN的刻蚀速率。混合气体也可为Cl2/He/O2或Cl2/Ne/O2或Cl2/N2O/O2。由于本发明在干法刻蚀氮化镓材料系中利用了三种气体组合做为反应气体，既可获得高的刻蚀选择比，又可获得高的GaN的刻蚀速率。同时可获得无残渣，无刻痕光滑的刻蚀表面。通过调节氧气在这三种混合气体中的相对含量，即可调节选择性刻蚀比和刻蚀速率，实验结果表明，对GaN和Al0.28Ga0.72N的选择性刻蚀比为60∶1，对GaN的刻蚀速率达到320nm/min。

公开(公告)号：CN209675673U

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201821038612.X

申请日：2018-06-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 王健 ,  王雅琼 ,  孙长征 ,  熊兵 ,  罗毅 ,  郝智彪 ,  韩彦军 ,  汪莱 ,  李洪涛

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

Abstract: 本实用新型提出了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列，包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205118683U

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201520852836.4

申请日：2015-10-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  韩彦军

IPC: F21K9/20 ,  F21V7/04 ,  F21Y103/10

Abstract: 本实用新型提供一种半导体照明装置，包括：壳体结构和LED光源，所述LED光源固定于所述壳体结构，所述壳体结构包括反射面，所述反射面为类朗伯型反射面，所述LED光源的出光方向指向所述反射面的至少一部分，所述LED光源在所述反射面上形成全部或局部均匀的照度分布，并通过所述类朗伯型反射面向半空间立体角反射，获得发光柔和、全部或局部亮度均匀的照明效果。本实用新型提供的半导体照明装置的发光柔和且全部或局部亮度较均匀，照明效果好。