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公开(公告)号：CN113838680A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111093979.8
申请日：2021-09-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可穿戴全柔性固态电致变色超级电容器及制备方法，主要解决现有技术中超级电容器的柔性差、储能效果差、难以实现可穿戴的问题。其自下而上包括下集流体(1)、第一活性层(2)、凝胶聚合物电解质层(3)、第二活性层(4)和上集流体(5)，该上下两个集流体均由柔性衬底和银纳米线电极组成，且银纳米线电极涂布在柔性衬底上；该活性层，采用共轭聚合物材料，以实现电致变色的功能，且共轭聚合物的一部分嵌入到银纳米线电极的网状多孔中，形成银纳米线‑共轭聚合物复合3D电极。本发明提高了超级电容器的机械柔韧性和电化学性能，实现了全柔性、可穿戴、电量可视化，可用于为人体穿戴式的电子设备提供能量。
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公开(公告)号：CN113517365A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110779948.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/08
Abstract: 本发明公开一种基于透明氧化物的光电类突触器件及其应用，属于人工神经网络技术领域，包括衬底以及所述衬底上依次叠层设置的功能层和离子发光层；所述离子发光层的两侧分别设置有金属电极，且两个所述金属电极的底部均与所述功能层的上表面相接触；所述离子发光层为钙钛矿型氧化物，所述钙钛矿型氧化物掺杂有稀土元素。本发明的光电类突触器件可以对大范围波长的光都能做出突触响应，且在较小电信号或光信号刺激下有很大的电阻，从而具有很低的功耗，且提高了光电类突触器件的稳定性和均一性。
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公开(公告)号：CN113421915A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110692063.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种低接触电阻的氧化镓基场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有器件结构中金属和氧化镓接触时接触电阻较大的问题。其自下而上包括衬底(1)，绝缘层(2)，氧化镓沟道层(3)，该沟道层上方设有不规则的极性过渡金属硫化物界面缓冲层(4)，其化学式为MXX′，M为钼,钨中的任意一种；X和X′分别为硫、硒、碲中任意不同的两种。界面缓冲层上部设有介质层，介质层两端设有源漏电极，介质层上部设有栅电极。本发明由于有引入了界面缓冲层可防止金属和氧化镓直接接触产生的界面态，同时由于该界面缓冲层自身存在的电场更加有利于电子的传输，减小了接触电阻，提高了器件性能，可用于制备高性能功率器件。
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公开(公告)号：CN113104894A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110361560.X
申请日：2021-04-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有效减少钙钛矿组分中铅含量的方法，主要解决现有单一掺杂减铅效果不理想,造成光电性能及稳定性差的问题。其方案是：将Zn、Mn、Cu、Ni、Ge、Sn、Au、Ti、Zr元素中的任意两种或两种以上，按不同的组合方式对铅基钙钛矿进行共掺杂，包括Zn与Mn共掺杂、Zn与Cu、Ni、Ge、Sn、Au、Ti、Zr中的一种或多种共掺杂、Ge、Sn中的一种或两种与Cu、Ni、Au、Ti、Zr中的一种或多种共掺杂、Mn与Cu、Ni、Au、Ti、Zr中的一种或多种共掺杂，以减少钙钛矿组分中的铅含量。本发明降低了钙钛矿毒性，保证了光电性能和稳定性，可广泛的用于吸光层材料的低铅化处理。
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公开(公告)号：CN111987169A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010882684.8
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/49
Abstract: 本发明公开了一种基于二维氧化镓薄膜晶体管的制备方法，主要解决现有氧化镓电子器件性能低下的问题。其实现方案是：1)对基片衬底进行清洗和吹干的预处理；2)选取不同表面积的二维层状材料，通过氧化剥离的方式制备面积厚度可控的二维β-Ga2O3薄膜，并采用转印聚合物将其转移到基片衬底上表面作为沟道层；3)通过掩膜版蒸镀或光刻的方法制备金属源漏电极。本发明通过对β-Ga2O3薄膜厚度和面积进行精确控制，提升了半导体/金属电极界面传输特性及其器件性能，可用于制造高性能大规模光电集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111933804A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010842729.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以二维全无机钙钛矿材料为吸光层的钙钛矿太阳能电池，主要解决传统钙钛矿太阳能电池载流子寿命低，稳定性差，薄膜质量较差的问题。其自上而下依次为透明导电衬底(1)、下层电荷传输层(2)、钙钛矿吸光层(3)、上层电荷传输层(4)和金属电极(5)。该钙钛矿吸光层采用二维全无机钙钛矿A2BX4，其中，A为Cs、Rb中的任意一种，B为Pb、Sn、Ge、Cu中的任意一种，X为I以及Br、Cl、InBr1-n、ClnI1-n、ClnBr1-n、I1-n-mBrnClm中的任意一种，m与n在0-1之间。本发明提升了载流子寿命，提高了太阳能电池的稳定性和光电转化效率，可用于为电子设备提供电能。
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公开(公告)号：CN111933730A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010842129.2
申请日：2020-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及制备方法，主要解决现有技术钙钛矿吸收层含有有毒铅元素和灵敏度较低的问题，其从下而上依次包括前电极(1)、钙钛矿吸收层(2)和背电极(3)。所述钙钛矿吸收层(2)采用无铅钙钛矿晶体，其厚度为1～20mm；该无铅钙钛矿晶体为A2BX6或A2CC’X6，其中：A为Cs、Rb、Na和K中的任意一种；B为Sn和Ge中的任意一种；C为Ag、Au和Cu中的任意一种；C’为Bi、Sb和In中的任意一种；X为Cl、Br和I中的任意一种。本发明由于采用无铅钙钛矿作为核辐射吸收层，除去了有毒的铅元素，提高了核辐射探测器的灵敏度，可用于核工业的环境监测。
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公开(公告)号：CN111769035A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010638555.4
申请日：2020-07-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0224 , H01L33/42
Abstract: 本发明公开了一种基于Zn和N共掺杂的氧化镓薄膜制备方法，本发明主要解决现有p型掺杂氧化镓空穴浓度低、受主能级位置较高的问题。其实现方案是1)选用衬底并对其进行清洗和腐蚀的预处理；2)在预处理后的衬底上采用金属有机物化学气相沉积工艺制备100nm～200nm厚的缓冲层；3)在制备好的缓冲层上分别控制Zn的掺杂浓度a为0.031～0.125和N的掺杂浓度b为0.021～0.083，生长Zn和N共掺杂的Ga1-aZnaO1-bNb薄膜。本发明提高了薄膜费米能级附近态密度的峰值，降低了薄膜的杂质形成能，使其具有更高的化学稳定性，且受主能级离价带顶更近，表现出更好的迁移特性，可用于制作半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN111653325A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010495984.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于第一性原理计算调控钙钛矿材料缺陷的方法，属于属于新材料技术领域。包括以下步骤：S1、利用MS软件构建钙钛矿晶系超胞的缺陷晶体模型，并借助VESTA软件将结构数据文件类型转为.vasp文件格式；S2、对中间产物晶体模型和缺陷晶体模型进行第一性原理计算模拟，S3、以线性规划分析制备中间产物和终产物形成约束条件，在约束条件内量化缺陷晶体形成能，并以缺陷晶体形成能量化缺陷晶体内能级位置；S4、改变约束条件内的变量，分析缺陷晶体的形成能和能级位置的变化，即起到调控钙钛矿材料缺陷的作用。本发明揭示钙钛扩材料内部的自发缺陷和深浅能级的形成规律，可以通过调控得到需要的材料特性。
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公开(公告)号：CN110518122A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910680266.8
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以二维材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，本发明可以解决电子传输层迁移率低，稳定性差，禁带宽度不可调的问题，其自上而下依次包括透明导电衬底(1)、二维材料电子传输层(2)、钙钛矿吸收层(3)、空穴传输层(4)和金属电极(5)。其中所采用的二维材料是硒化锡、硒化铟、硫化锌、二硫化锡、硫化亚锡、硫化，过渡金属硫化物，黑磷、二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物、石墨烯及其氧化物任意一种。本发明由于采用二维材料的电子传输层，提高了电子传输层的迁移率，改善电子传输层的可见光透过性，调节禁带宽度，从而提高器件的光电转化效率和稳定性，可用于钙钛矿太阳能电池的光电转化。
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