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公开(公告)号：CN114582861B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN114914712B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210680950.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳米线气凝胶的可重构弹性吸波体，由上至下包括：第一吸波层、第二吸波层和金属纳米线背板；第一吸波层包括第一高分子弹性体介质层和包裹在其内的第一金属纳米线气凝胶微结构阵列；第二吸波层包括第二高分子弹性体介质层和包裹在其内的第二金属纳米线气凝胶微结构阵列；第一金属纳米线气凝胶微结构阵列包括等间距周期性排列的多个第一金属纳米线气凝胶微结构；第二金属纳米线气凝胶微结构阵列包括等间距周期性排列的多个第二金属纳米线气凝胶微结构；金属纳米线背板由高分子弹性体薄膜表面涂布金属纳米线分散液得到。本发明能实现结构简化、柔性可重构、吸波性能可调谐且具有优良的阻抗匹配特性的宽频超材料吸波体。
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公开(公告)号：CN117524586A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311607800.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用银纳米线副产物回收制备导电材料的方法，包括：将预先制备的银纳米线原液加入去离子水摇匀后置于正压过滤器中；利用PTFE滤膜和正压过滤器重复执行过滤步骤预设次；收集PTFE滤膜上的银纳米线分散在水中得到银纳米线分散液；将收集到的总废液离心处理，取出下层沉淀物在去离子水中溶解得到副产物分散液；将获取的细菌纤维素溶液与纳米纤维素溶液混合得到混合纤维素溶液；基于副产物分散液和混合纤维素溶液得到混合溶液并进行预冻和冷冻干燥处理得到制备出的导电材料，包括副产物气凝胶薄膜或副产物气凝胶泡沫。本发明能实现银纳米线固态颗粒副产物的绿色回收并制备出导电材料，并可用作电磁防护材料，具有实用价值。
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公开(公告)号：CN111933519B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010882872.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维氧化镓薄膜的制备方法，主要解决现有技术中低维氧化镓薄膜制备困难、性能低下的问题。其实现方案是：1)选用Si/SiO2作为衬底并进行清洗和吹干的预处理；2)选取不同表面积的二维层状材料GaSe或GaS晶体材料并进行表面氧化，制备原子级别厚度的二维β‑Ga2O3薄膜；3)选用转印聚合物聚二甲基硅氧烷PDMS或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，将其旋涂到β‑Ga2O3表面，用于将二维β‑Ga2O3从二维层状材料底物上机械剥离后，再转移到Si/SiO2衬底上。本发明制备的二维β‑Ga2O3薄膜原厚度薄面积大，改善了β‑Ga2O3材料性质，可用于制备高性能氧化镓电子器件。
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公开(公告)号：CN116779712A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310846265.2
申请日：2023-07-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的氧化镓/氧化镍梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法，主要解决现有技术中界面能级不匹配、界面载流子复合严重的问题。包括：1)选用衬底并对其进行预处理；2)在预处理后的衬底上通过MOCVD生长氧化镓感光层；3)采用射频磁控溅射技术在氧化镓感光层上生长得到BaSnO3缓冲层；4)采用ALD技术在缓冲层上沉积多层的梯度氧化镍层；5)在氧化镓感光层上部的一端制备源电极，在梯度氧化镍层上部与金属源电极相对的一端制备漏电极，得到自下而上包括衬底、氧化镓感光层、缓冲层、梯度氧化镍层及源漏电极的探测器。本发明能够有效减少界面载流子复合，降低界面接触电阻，提高探测器的响应速度与性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116322247A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310427884.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域，具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列，通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺(TFSI)P型掺杂剂处理SWCNTs薄膜，能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压，大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于，通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂，在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115566095A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211163076.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有MXenes插入层的Ga2O3基紫外探测器及制备工艺，本发明在Ga2O3/SiC异质结之间插入了具有高迁移率的少层MXenes材料，使用的MXenes材料构型非镜面对称，其能带结构有一定坡度，从而增加了载流子的漂移速率，提升了Ga2O3基紫外探测器的响应度和响应速率。本发明的制备工艺中将MXenes材料转移到Ga2O3基紫外探测器的衬底上，形成的Ga2O3基紫外探测器的衬底上存在着空隙的、小面积的、非连续的MXenes材料，方便控制形核结晶，提高Ga2O3薄膜结晶度，处于Ga2O3晶界处的MXenes材料可以作为载流子传输的桥梁，促进载流子的运输。
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公开(公告)号：CN115424940A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211026540.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/46 , H01L21/02 , C01B32/194
Abstract: 一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。
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公开(公告)号：CN114914712A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210680950.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳米线气凝胶的可重构弹性吸波体，由上至下包括：第一吸波层、第二吸波层和金属纳米线背板；第一吸波层包括第一高分子弹性体介质层和包裹在其内的第一金属纳米线气凝胶微结构阵列；第二吸波层包括第二高分子弹性体介质层和包裹在其内的第二金属纳米线气凝胶微结构阵列；第一金属纳米线气凝胶微结构阵列包括等间距周期性排列的多个第一金属纳米线气凝胶微结构；第二金属纳米线气凝胶微结构阵列包括等间距周期性排列的多个第二金属纳米线气凝胶微结构；金属纳米线背板由高分子弹性体薄膜表面涂布金属纳米线分散液得到。本发明能实现结构简化、柔性可重构、吸波性能可调谐且具有优良的阻抗匹配特性的宽频超材料吸波体。
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公开(公告)号：CN114864711A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210646462.5
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于极性二维材料量子阱的pn型β‑Ga2O3日盲深紫外光电探测器，主要解决现有pn结型光电探测器内部增益不足的问题。其自下而上设有衬底(1)、β‑Ga2O3层(2)、多量子阱层(3)和NiO层(4)，其中，多量子阱层(3)由α‑In2Se3与MoSSe两种二维层状极性材料构成，其位于β‑Ga2O3层的一端上部；β‑Ga2O3层的另一端上设有负电极(6)，NiO层上部设有正电极(5)。本发明由于在β‑Ga2O3层与NiO层之间增设了多量子阱层，利用其量子限制斯塔克效应和单极载流子输运的效果，增加了器件的光导增益，提高了器件的量子效率和响应度，可用于火灾预警、目标识别和信息通讯。
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