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公开(公告)号：CN117561657A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045427.6
申请日：2022-06-22
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01S5/028
Abstract: 氮化物半导体发光元件(10)具有：氮化物半导体(100)，其具有相互对置的两个谐振器面(160、161)；以及电介质多层膜，其层叠于两个谐振器面(160、161)中的至少一个谐振器面。例如，层叠于谐振器面(160)的电介质多层膜(200)具有层叠于谐振器面(160)的电介质膜(201)和层叠于电介质膜(201)的电介质膜(202)。电介质膜(201)由氮氧化铝形成。电介质膜(202)由氧化铝形成。电介质膜(201)是结晶膜。在电介质膜(201)中添加有钇或镧的至少一种元素。在电介质膜(202)中添加有钇或镧的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN111566935B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201880086069.7
申请日：2018-12-11
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Inventor： 中西和幸
IPC: H03K3/037 , G01R31/28 , H03K3/3562
Abstract: 具备具有第一从锁存器的第一触发器(1a)、具有第二从锁存器的第二触发器(2a)、以及向第一触发器(1a)和第二触发器(2a)供给共通的时钟信号的时钟生成电路(3)，第一从锁存器具有第一反相器(I14)、以来自第一反相器(I14)的输出信号作为输入的第一反馈反相器(I15)、以及连接在第一反相器(I14)的输入端子与第一反馈反相器(I15)的输出端子之间的第一开关(S13)，从第一反馈反相器(I15)的输出端子输出第一触发器(1a)的输出信号。
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公开(公告)号：CN117529931A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280039588.4
申请日：2022-05-09
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种固体摄像装置，具备：被配置成矩阵状的多个像素电路(101)；将与不同的2个列对应的2个像素信号作为输入的多个选择电路(2)；对从多个选择电路(2)输出的像素信号进行AD转换的k个列AD转换电路(106)，k为2以上的整数；以及被设置为冗余的m个列AD转换电路(106)，多个选择电路(2)从(k+m)个列AD转换电路(106)中，将与彼此相邻的m列对应的m个列AD转换电路(106)有选择性地除外，将从多个像素电路(101)输出的k个像素信号与没有被除外的k个列AD转换电路(106)建立对应。
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公开(公告)号：CN115552631B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202180033776.1
申请日：2021-05-12
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 功率放大用半导体装置(11)具有形成在包括第1氮化物半导体层(201)和第2氮化物半导体层(202)的半导体层叠体(220)之上的源极电极成在栅极电极(206)与漏极电极(205)之间的半导体层叠体(220)之上且被提供与源极电极(204)相同的电位的源场板(209)；源场板(209)是台阶状，即使为了电场缓和而将上级的长度LF2延长，也能抑制在源场板(209)和2DEG面(230)中产生的寄生电容Cds的增大。(204)、漏极电极(205)及栅极电极(206)、以及形
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公开(公告)号：CN117480409A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280041885.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: G01S17/894
Abstract: 物体检测装置(100)具备：第1亮度取得部(11)及距离取得部(13)，取得与相同的摄像区域对应的第1亮度图像和距离图像；第1聚类部(101)，在距离图像中，生成可看作同一物体的处于一定范围内的像素的集合即组，在组中包含的像素的数量是第1阈值以上的情况下，将该组决定为群集；第2聚类部(102)，在组中包含的像素的数量比第1阈值少的情况下，在第1亮度图像中的与组对应的像素群的亮度是第2阈值以上时，将该组决定为群集；以及3D物体检测部(17)，基于群集检测距离图像中的物体，生成表示检测到的物体的3D物体信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117425948A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280039939.1
申请日：2022-07-06
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具有：半导体衬底(11)；以及金属层(20)，形成于半导体衬底(11)，露出到外部；在金属层(20)的露出面，形成有1个以上的标记；标记包括形成激光的轮廓的轮廓部(22b)以及位于轮廓部(22b)的内侧的中央部(22a)；在对金属层(20)的露出面进行平面观察时，轮廓部(22b)的颜色与金属层(20)的露出面中的没有形成标记的部分即基体部(22c)的颜色或中央部(22a)的颜色不同。
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公开(公告)号：CN116964754A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280010919.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置(1)的制造方法，包括：对半导体层(40)形成深度H的第1槽(71)的工序；将第1槽(71)用氧化膜填充，在半导体层(40)的上表面形成厚度a的表面氧化膜(34)以使其高度与氧化膜一致的工序；形成距第3氧化膜(7)的最上表面为比a深的深度h的第2槽(72)的工序；对半导体层(40)形成比深度H深的栅极沟槽(17)的工序；堆积多晶硅直到多晶硅至少被填充到栅极沟槽(17)及第2槽(72)中的工序；向堆积在第2槽(72)中的多晶硅注入杂质而形成周边元件(51)的工序；以及将堆积在栅极沟槽(17)中的多晶硅与堆积在第2槽(72)中的多晶硅并行地除去以使其高度一致，使周边元件(51)的厚度与深度h一致的工序。
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公开(公告)号：CN116918248A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280009631.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H03F1/26
Abstract: 高频功率放大器件(200)具备：第二高频信号线(2)，向多层安装台基板(100)的第一主面(101)的载波放大器半导体器件(11)、峰值放大器半导体器件(12)、偏置电源半导体器件(13)及载波放大器半导体器件(11)或峰值放大器半导体器件(12)传输高频信号；以及载波放大器用偏置电源线(31)，在第三布线层(105)上布线，并供给偏置电源电压。第二高频信号线(2)与载波放大器用偏置电源线(31)在平面图中交叉，具备：作为接地电位的屏蔽图案(121)，在第一布线层(103)与第三布线层(105)之间的第二布线层(104)上；以及1个以上的连接导孔(131)，沿着载波放大器用偏置电源线(31)的延伸方向设置，1个以上的连接导孔(131)与屏蔽图案(121)连接。
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公开(公告)号：CN116746010A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280010920.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/024 , H01S5/0233
Abstract: 半导体激光发光装置(1)具备：安装基板(10)，是具有台阶(11)的安装基台的一例；副装配件(20)，配置在台阶(11)的底面的上方；以及半导体激光器(30)，配置在副装配件(20)；台阶(11)的作为内侧面之一的第1侧面与副装配件(20)的作为半导体激光器(30)的光射出侧的面的前表面(20a)热接触。
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公开(公告)号：CN113165115B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201980079935.4
申请日：2019-11-08
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01S5/40 , F21Y115/30
Abstract: 光源单元(100)具备：第一发光点(13a)，射出第一光线；第二发光点(13b)，在垂直于第一方向的第二方向上离开第一发光点而配置，射出第二光线；偏转元件(50)，使第一光线及第二光线中的至少一者向与第一方向及第二方向垂直的第三方向偏转；以及第一聚光光学元件(70)，将从偏转元件(50)射出的第一光线及第二光线聚光于聚光面(91)，第一发光点(13a)处的第一光线与第二发光点处的第二光线在第三方向上重叠，在聚光面(91)中，第一光线与第二光线在第二方向上重叠，且在第三方向上分离。
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