-
公开(公告)号：CN119908179A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202480003427.9
申请日：2024-04-10
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备半导体层(40)和形成于半导体层(40)的第一纵型MOS晶体管(10)以及第二纵型MOS晶体管(20)，在半导体层(40)的平面视图中，第一栅极电极区域(G1)的外周边中的1边的全长以及第一电阻元件区域(R1)的外周边中的1边的全长，与半导体层(40)的外周边中的正交于边界线(90)且与第一栅极焊盘(119)之间的距离最短的边的一部分一致，在半导体层(40)的平面视图中，第一电阻元件区域(R1)的外周边中仅包含第一栅极电极区域(G1)的外周的4个角部中的与边界线(90)之间的距离最短并且与半导体层(40)的外周边中的正交于边界线(90)的边之间的距离最短的1个角部。
-
公开(公告)号：CN119908122A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067834.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H04N25/705 , G01S7/4863
Abstract: 摄像装置(100)具备：第1半导体层(170)；单位单元，包括n个像素(201)以及用来将由n个像素产生的电荷积蓄的电荷积蓄部(FD)，其中n是自然数；以及驱动电路(130)，n个像素分别包括光电转换部(211)、具有第1控制端子(221g)的第1传输晶体管(221)、以及具有第2控制端子(231g)的第2传输晶体管(231)，驱动电路(130)对于第1半导体层(170)或者第1控制端子(221g)或第2控制端子(231g)供给与从多个动作模式中选择出的1个动作模式对应的电压。
-
公开(公告)号：CN118974949B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380030808.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 一种功率放大半导体装置(100)，以3GHz以上的频率来工作，其具备：基板(101)；半导体层(102)，被设置在基板(101)的正面且包括多个单位HEMT；连接层(L1)，被设置在半导体层(102)上且包括单位HEMT的源极电极(301)、漏极电极(302)和栅极电极(303)；端子层(L2)，包括设置在连接层(L1)上的源极焊盘(701a)、漏极焊盘(702a)和栅极焊盘(703a)；背面电极(103)，被设置在基板(101)的背面上且被设定为源极电位；基板过孔(901)，贯通基板(101)且在内壁上具有屏蔽布线层(503)，功率放大半导体装置(100)还具有漏极汇集部(702)和栅极汇集部(703)，在平面视图中，漏极汇集部(702)以及栅极汇集部(703)的任一方或双方的周围由基板过孔(901)包围。
-
公开(公告)号：CN118056281B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380013901.1
申请日：2023-02-10
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 半导体装置(1)是具有在第一方向上延伸的第一栅极沟槽(17)以及形成得比第一栅极沟槽(17)深的第二栅极沟槽(27)、形成在第一栅极沟槽(17)内部的第一栅极绝缘膜(16)及第一栅极导体(15)、和形成在第二栅极沟槽(27)内部的第二栅极绝缘膜(26)及第二栅极导体(25)的纵型场效应晶体管(10)，第一栅极导体(15)和第二栅极导体(25)是相同电位，设第一栅极沟槽(17)的条数为n时，第二栅极沟槽(27)的条数是2以上且n+1以下，在与低浓度杂质层(33)的上表面平行且与第一方向正交的第二方向上，设置第一栅极沟槽(17)和第二栅极沟槽(27)的区域的最端部被设置上述第二栅极沟槽(27)。
-
公开(公告)号：CN111801587B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980014332.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: G01R31/396 , G01R19/00 , B60L58/20 , H01M10/48 , H02J7/02
Abstract: 电压测定装置(100)是具备以串联连接的多个单元为对象而测定单元电压的多个电压检测电路的电压测定装置，电压检测电路(1)具备保持将多个电压检测电路(1)中的某个电压检测电路指定为通信终端位置的通信终端信息的通信终端信息保持电路(51，71)、以及根据通信终端信息来控制将从前级电压检测电路接收到的通信命令向次级电压检测电路进行发送的传送的通信控制电路(52，72)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112368845B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980040521.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。
-
公开(公告)号：CN119096553A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380030386.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Inventor： 上运天崇
Abstract: 固定物检测单元(102)具备：拍摄装置(101)；固定物区域信息取得单元(污垢区域信息取得单元(201))，搜索映现在由拍摄装置(101)拍摄到的影像中的固定物的候选作为固定物候选，并取得表示固定物候选在影像内的坐标的固定物区域信息，所述固定物是与拍摄装置(101)的相对位置固定的固定物；存储单元(204)，存储取得的固定物区域信息；以及观测单元(205)，将坐标与存储单元(204)中过去存储的固定物区域信息的坐标一致的固定物区域信息所示的坐标判定为影像内的固定物的坐标，并输出判定结果。
-
公开(公告)号：CN112640186B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201980055818.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 新唐科技日本株式会社
Inventor： 小林仁
Abstract: 单元监视电路(30)具备：测量电路(31)，测量二次电池单元(21)的蓄电量；变压器(38)，用于测量电路(31)从与二次电池单元(21)不同的电源以非接触的方式接受电力供给；以及通信电路(37)，经由变压器(38)向管理电池组(20)的状态的BMU(10)发送由测量电路(31)测量出的蓄电量。
-
公开(公告)号：CN119054278A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380035608.5
申请日：2023-04-24
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H04N19/115 , H04N19/126 , H04N19/136 , H04N19/176 , H04N19/186
Abstract: 图像编码装置(200)具备：特征量取得器(240)，关于构成图像的像素的各分量，取得处理对象块中的该分量的数据的特征量；目标码量决定器(250)，关于各分量，依照该分量的数据的特征量决定该分量的数据的目标码量；频率变换器(210)，关于各分量，针对该分量的数据进行频率变换；量化处理器(220)，关于各分量，依照该分量的数据的目标码量对该分量的数据进行量化；以及编码器(230)，关于各分量，对该分量的数据进行编码。
-
公开(公告)号：CN118974948A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380030384.9
申请日：2023-02-24
Applicant: 新唐科技日本株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808
Abstract: 在半导体装置(100)中，栅极电极(140)包括与势垒层(104)肖特基接合的接合部(141)以及比接合部(141)伸出的伸出部(142d)。绝缘层(130)包括第1侧壁(133d)和第2侧壁(133s)。伸出部(142d)包括第1栅极场板(143)和第2栅极场板(144)。第1栅极场板(143)的下表面最高位置(P2)从第1位置(P0)来看具有第2仰角(θ2)的倾斜，第2栅极场板(144)的下表面最低位置的漏极电极侧端(P3)从第1位置(P0)来看具有第3仰角(θ2)的倾斜。第2仰角(θ2)比第3仰角(θ3)大。第2栅极场板(144)的下表面包括单调增加的倾斜面(144c)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
319
records
(took 0.054 seconds)
