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公开(公告)号：CN119019169A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411104737.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/486 , C04B35/505 , C04B35/443 , C04B35/622 , F25B23/00
Abstract: 本发明属于热控材料技术领域，公开了一种高反射复合无序超结构材料及其制备方法、应用，该材料包括由两层高度无序的长波反射层和短波反射层构成的光热调控超结构。该材料内部散射颗粒空间分布高度无序，外观呈白色，厚度为200～1000μm，太阳光谱波段加权平均反射率为0.8～0.97，调控反射波段为0.2～8μm，红外发射率为0.75～0.92，具有宽波段、高反射、施工简单、成本低廉、可规模化等优势，同时由于二次流延原位固化成型技术的特性，成型后的复合超结构易于机械加工，保证了复合高度无序散射型超结构对异型表面、弯曲表面的适用性。
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公开(公告)号：CN114324458B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111618128.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开一种对待检测材料进行预处理，得到片状样品，以所述片状样品垂直于厚度方向上的一侧表面作为目标表面，所述片状样品内具有增强相颗粒；选择所述目标表面内暴露的增强相颗粒作为目标颗粒，所述目标颗粒暴露的表面作为参考面；将所述片状样品置于镶样槽内，调整所述目标表面与槽底之间的夹角为预设倾斜角度；向所述镶样槽内注入镶样胶体并固化，得到包裹有所述片状样品的镶嵌试样；沿所述镶嵌试样的一侧表面向所述目标颗粒方向对所述镶嵌试样进行磨抛，直至磨抛至磨抛面与所述目标颗粒的参考面的边缘之间的距离小于等于预设距离，得到测试样品，所述磨抛面作为测试样品的被测表面。上述方法能够制备满足TDTR测试的测试样品。
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公开(公告)号：CN115304953B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110508761.8
申请日：2021-05-10
IPC: C09D11/102 , C09D11/106 , C09D11/03 , B33Y70/10
Abstract: 本发明提供了一种辐射热控光子材料及制备方法；该材料包括聚合物多孔基体和微纳无机颗粒。该材料在可见近红外波段的平均反射率高达96.7％，在中红外大气窗口波段(8‑13μm)的平均辐射率高达93.8％，能够在日间实现8℃的辐射降温。同时，该材料通过3D打印技术制备，基于非溶剂诱导相分离原理一步形成微纳无机颗粒镶嵌的多孔聚合物结构，可以满足复杂三维结构的高精度定制需求，在冷链运输、建筑物和个人电子设备热管理领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116217216A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310175702.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/626 , C04B35/624 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种可变太阳吸收率铁酸镧陶瓷粉体及其制备方法和应用，所述的可变太阳吸收率铁酸镧陶瓷粉体的通式为La1‑xScxFeO3，其中，0.025≤x≤0.125，所述的可变太阳吸收率铁酸镧陶瓷粉体在25℃下对太阳波段吸收率不高于0.51、在270℃下对太阳波段吸收率不低于0.68。本发明提供的可变太阳吸收率铁酸镧陶瓷粉体或块体，为室温至270℃之间太阳吸收率变化值0.3的智能热控陶瓷材料；本发明提供的可变太阳吸收率铁酸镧陶瓷粉体或块体的制备方法，通过对铁酸镧的镧位进行钪掺杂使铁酸镧在25℃‑270℃的太阳吸收率变化增大，并通过调节钪的掺杂量使所述材料的25℃‑270℃可变太阳吸收率最大达到0.3(x＝0.1)，同时降低了铁酸镧体系相同温度水平下的太阳吸收率/红外发射率比值。
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公开(公告)号：CN114773690B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210288439.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08L5/08 , C08K3/30 , C08K7/00 , C08J3/28 , C08L87/00 , C08L89/00 , C08K3/14 , C08K3/28 , C08K3/26 , C08K3/22 , C08L99/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种有机大分子修饰的二维纳米片复合材料及其制备方法，所述复合材料由二维纳米片与有机大分子复合而成；所述有机大分子修饰的二维纳米片复合材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将二维纳米片与有机大分子共混于水性液相介质获得混合分散液；S2、对步骤S1中所得混合分散液进行微波辐照，获得絮状沉淀；S3、对步骤S2中所得絮状沉淀进行离心、洗涤、真空干燥，即得有机大分子修饰的二维纳米片。本发明提供的有机大分子修饰的二维纳米片复合材料，在8‑14μm波段内均具备较低的(
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114773690A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210288439.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08L5/08 , C08K3/30 , C08K7/00 , C08J3/28 , C08L87/00 , C08L89/00 , C08K3/14 , C08K3/28 , C08K3/26 , C08K3/22 , C08L99/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种有机大分子修饰的二维纳米片复合材料及其制备方法，所述复合材料由二维纳米片与有机大分子复合而成；所述有机大分子修饰的二维纳米片复合材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将二维纳米片与有机大分子共混于水性液相介质获得混合分散液；S2、对步骤S1中所得混合分散液进行微波辐照，获得絮状沉淀；S3、对步骤S2中所得絮状沉淀进行离心、洗涤、真空干燥，即得有机大分子修饰的二维纳米片。本发明提供的有机大分子修饰的二维纳米片复合材料，在8‑14μm波段内均具备较低的(
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公开(公告)号：CN113699503A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111016218.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种金属表面具有多相复合碳源的石墨烯制备方法及装置，所述制备方法包括如下步骤：提供固态有机碳源、液态有机碳源及气态有机碳源中的至少一种，形成碳源混合物；加热，使所述碳源混合物裂解为气态活性含碳基团；将所述气态活性含碳基团通入反应腔内，所述反应腔内放置有金属基底，在生长温度及生长压力下，所述气态活性含碳基团沉积在所述金属基底上，形成石墨烯层，以形成石墨烯金属复合结构。本发明制备方法先使碳源高温裂解，从而不需要金属基底对所述碳源进行催化，扩大了所述金属基底材料的可选范围，使得所述金属基底可为对碳源具有催化作用的材料也可为对碳源不具备催化作用的材料。
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公开(公告)号：CN112921291A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110106194.3
申请日：2021-01-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种相变温度可调控的钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：1)将VO2粉末与WO3粉末进行球磨混合，之后置于模具中进行热压烧结，得到靶材胚体；2)将铜背靶与步骤1)中的靶材胚体焊接在一起，得到靶材；3)将预处理后的衬底及步骤2)中的靶材一起置于磁控溅射腔中，进行射频磁控溅射，得到薄膜；4)将步骤3)中的薄膜进行退火结晶，即得到钨掺杂二氧化钒薄膜。与现有技术相比，本发明采用热压烧结的方式，制备了钨掺杂二氧化钒靶材，同时通过射频磁控溅射，解决了反应直流磁控溅射中存在的氧分压问题，制备高质量钨掺杂二氧化钒薄膜，且过程简单易于控制，实现VO2相变温度的调控。
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公开(公告)号：CN110552199B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910865792.1
申请日：2019-09-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: D06M11/79 , D06M101/22 , D06M101/30 , D06M101/18
Abstract: 本发明公开了一种辐射制冷复合光子结构薄膜及其制备方法；该薄膜自下而上包括纤维层和微球层。该薄膜体系具有强日光反射、高红外辐射、低角度依赖性等特点，对太阳光波段(0.25‑2.5μm)能量的反射高达97％，在大气窗口波段(8‑13μm)的平均发射率高达0.96，可在1000W/m2的太阳光照下实现最高10℃的降温，辐射制冷效果优异，且薄膜具有较好的柔性与强度。制备方法为简单的2步法，包括静电纺丝得到纤维层和二氧化硅微球分散液沉积得到微球层。本薄膜结构简单，性能高效，制备简易，成本低廉，可满足工业规模化生产需求，具有较高的潜在应用价值。
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