公开(公告)号：CN112513959B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201880096085.4

申请日：2018-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/33

Abstract: 氧化物半导体层包含岛状的半导体线(SS)，所述岛状的半导体线(SS)在俯视下位于多个驱动器与显示区域之间，与多个控制线以及多个电源线正交，所述半导体线在栅极绝缘膜(16)的开口中与所述多个控制线(Gn、En)接触，并且在第一无机绝缘膜(18)的开口中与所述多个电源线(In、Qn)接触，且包括多个变细部(WT)。

公开(公告)号：CN114846907A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201980103309.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  市川伸治 ,  郡司辽佑 ,  斋田信介 ,  金子诚二

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

Abstract: 显示装置具备:第一连接布线(21b)，经由形成于第二平坦化膜(22)的第一通孔(Hi)与第一电极(31)电连接；以及第二连接布线(18i)，经由形成于第一平坦化膜(19)的第二通孔(Hj)与第一连接布线(21b)电连接，在第二层间绝缘膜(20a)贯通第二层间绝缘膜(20a)，与第一连接布线(21b)重叠，并且以俯视时周缘包围第一通孔(Hi)及第二通孔(Hj)的方式设置有接触开口部(M)。

公开(公告)号：CN111149434B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780095332.4

申请日：2017-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  谷山博己 ,  斋田信介 ,  神村浩治 ,  仲田芳浩 ,  井上彬

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10

Abstract: 由同一材料形成于与反射电极(21)相同的层的配线(21a)设置在TFT层(20)上，该反射电极(21)包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在具有光反射性的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层。

公开(公告)号：CN114503179A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201980100665.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 郡司辽佑 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  冈部达 ,  井上彬 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治

IPC: G09F9/30

Abstract: 与电连接到穿过显示区域(DA)的上述拐角部(SP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量比与电连接到穿过上述显示区域(DA)的上述中央部(CP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量多。

公开(公告)号：CN110476200B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201880022560.3

申请日：2018-03-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。

公开(公告)号：CN113508641A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201980092674.X

申请日：2019-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  郡司辽佑 ,  市川伸治 ,  神村浩治 ,  井上彬 ,  仲田芳浩

IPC: H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/22 ,  G09F9/00

Abstract: 在显示区域的内部规定为岛状，在形成有贯通孔(H)的非显示区域中，分离壁沿着贯通孔(H)的周缘设置为框状，分离壁(Ea)第一树脂层(19ga)，通过与平坦化膜(19a)相同材料来设置于相同层；以及第一金属层(21c)，设置于第一树脂层(19ga)上且通过与第一电极相同材料来形成于相同层，第一金属层(21c)具备第一突出部(Ja)，上述第一突出部以从第一树脂层(19ga)向显示区域侧檐状地突出地方式设置。

公开(公告)号：CN111108541B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201780095192.0

申请日：2017-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  市川伸治 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在柔性有机EL显示装置(50)中，以填埋狭缝(BH)的方式形成有第一树脂层(13)，该第一树脂层具有：与第一导电构件(9A)重叠的开口(TH1)；与第二导电构件9C重叠的开口(TH4)；以及与第三导电构件(9B)重叠的开口(TH2)及开口(TH3)。

公开(公告)号：CN110036318B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201780075336.6

申请日：2017-12-07

Applicant: 夏普株式会社 ,  睿智弗尤德收购公司

Inventor： 锦博彦 ,  冈部达 ,  石田和泉 ,  村重正悟 ,  能谷敦子 ,  野中敏章 ,  吉田尚史

IPC: G02B5/20 ,  C09C1/48 ,  C08G77/04 ,  C08K3/04 ,  C08K9/06 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明提供一种材料，其为黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物，其特征在于，含有：(I)包含体积平均粒径为1～300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。

公开(公告)号：CN113474830A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201980092859.0

申请日：2019-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  家根田刚士

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

Abstract: 在TFT层形成工序中，首先，在通过进行半导体层形成工序来形成树脂基板(10)上的半导体层之后，通过进行栅极绝缘膜形成工序来形成栅极绝缘膜(13)以覆盖半导体层，接着，通过进行第一金属膜成膜工序、第一光刻工序以及第一蚀刻工序来形成第一金属层(14a)，进而，通过进行第二金属膜成膜工序、第二光刻工序以及第二蚀刻工序来形成第二金属层(15a)，从而形成层叠有第一金属层(14a)及第二金属层(15a)的栅极层(16a)。

公开(公告)号：CN112753064A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201880097978.0

申请日：2018-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  家根田刚士

IPC: G09G3/3233 ,  G09G3/20

Abstract: 具备:包括驱动晶体管(T1)和与驱动晶体管的控制端子电连接的电容器(Cp)的像素电路；发光元件(ES)；与数据信号线(SL(m))交叉的第一电源电压线(PF(n))；以及经由电容器与所述控制端子电连接的第二电源电压线(PS(m))，在扫描信号线(GL(n))激活的写入期间，第一电源电压线与驱动晶体管的第二导通端子不导通，在发光元件的发光期间内，第一电源电压线与驱动晶体管的第二导通端子导通。