信息记录介质及其制造方法

    公开(公告)号:CN101194310B

    公开(公告)日:2011-03-02

    申请号:CN200680020272.1

    申请日:2006-05-22

    CPC classification number: G11B7/24038 G11B7/243 G11B7/2533 Y10T428/21

    Abstract: 提供一种在高线速度且宽线速度范围内,确保高的记录消去性能和优良的记录保存性的信息记录介质。此种信息介质通过如下构成得到作为整体具有可产生相变化的组成的记录层,即:由在厚度方向上叠层的第1至第M(M为2以上的整数)的结构层,在将位于激光入射侧的第m的结构层设为第m结构层(m为整数,且满足1≤m≤M)的情况下,邻接的第m结构层与第m+1结构层具有相互不同的元素组成。在该信息记录介质中,构成记录层的至少一个第m结构层优选包含从Te、Bi、Sb、Ge、In、Ga、Al、Sn、Pb、Se及Si中选择的至少一种元素。

    光学信息记录介质及其制造方法

    公开(公告)号:CN100466077C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200410048920.7

    申请日:2004-06-14

    Abstract: 本发明提供光学信息记录介质,其含有记录层,且通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现,其特征在于:所述记录层含有低氧化物Te-O-M与材料X的混合物,其中M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素,X是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Te氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物,其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物;在所述Te-O-M中所述M的原子浓度为x原子%、所述Te的原子浓度为y原子%的场合,所述x以及所述y满足0.05y≤x≤y的关系;所述混合物中含有的所述材料X为30摩尔%或以下;以及所述记录层的厚度为3nm至20nm。还提供该光学信息记录介质的制造方法。

    信息记录介质
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100401384C

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200510052932.1

    申请日:2001-08-31

    Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质,及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20),第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4),第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且,第1记录层(4)由第1材料组成,第2记录层(14)由第2材料组成,且两种材料不同。

    光记录介质
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100373465C

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN03822766.5

    申请日:2003-09-24

    CPC classification number: G11B7/00736 G11B7/006 G11B7/0079 G11B20/00086

    Abstract: DVD等的光记录介质具有可以进行数据重写的数据记录区域(103)和只能进行补写不能进行数据的删除的一次写入区域(104)。在一次写入区域(104)能够记录作为光盘所固有的号码的介质固有号码信息(105)。在数据记录区域(103)中记录数据的部分和未记录数据的部分的反射率不同,在一次写入区域(103)形成的记录坑的反射率比数据记录区域(103)的记录数据部分和未记录数据部分的反射率中高的反射率还高。向一次写入区域(104)的数据记录是通过将在数据记录区域(103)记录可重写的数据所必需热量的3倍~25倍热量的激光照射一次写入区域(104)来进行的。

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