公开(公告)号：CN104129981B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410393881.8

申请日：2014-08-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  张福威 ,  董翠芳 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN103346255B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201310258989.1

申请日：2013-06-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  胡广达 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  吴海涛

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。

公开(公告)号：CN103708834A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310195294.3

申请日：2013-05-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  黄三喜 ,  胡广达 ,  岳云龙

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Mg离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元MgTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN103708739A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310271717.5

申请日：2013-07-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  隋慧婷 ,  冯超

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种锌离子掺杂的钛酸铋钠薄膜及其低温制备方法，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na0.5Bi0.5Ti1-xZnxO3-δ表示，其中，x为锌离子的摩尔掺量，0.005≤x≤0.05；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在ITO玻璃衬底上，于500~550℃结晶温度下制得具有良好电绝缘性、铁电性、介电性的薄膜，在非易失性铁电存储器中具有较广泛的应用，同时也可用于开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料及器件。

公开(公告)号：CN103325942A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310254038.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  胡广达 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  吴海涛

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成，其中，第一电极为P型半导体电极，第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制，实现大的开关比和长久的保持性。

公开(公告)号：CN101811889A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010156023.3

申请日：2010-04-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  王金翠 ,  程玲 ,  张红岩 ,  姜波 ,  武卫兵 ,  杨长红

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种镧系元素掺杂的钛酸铋薄膜，它包括至少5层材料，每层材料的组分为Bi(4-x)(1+y)LnxTi3O12，其中，Ln为镧系元素中的一种，x为镧系元素的摩尔当量，0.1≤x≤0.85；元素Bi要过量加入，y为Bi以重量计的过量百分数，第一层材料中y为5％～15％，第二至四层材料中y为10％～20％，第五层及五层以上材料中y为15％～25％。本发明还公开了该薄膜的制备方法。本发明的制备方法成本低，操作简单，所制得的薄膜(100)取向的择优度高，剩余极化、电滞回线的矩形度等也得到了提高，适于应用。