公开(公告)号：CN104129981B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410393881.8

申请日：2014-08-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  张福威 ,  董翠芳 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN104129981A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410393881.8

申请日：2014-08-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  张福威 ,  董翠芳 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。