公开(公告)号：CN119833403A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510036128.1

申请日：2025-01-09

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王吉伟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供一种电磁屏蔽结构封装方法，包括：步骤1，在临时载片上形成重布线层，重布线层上预留屏蔽层连接口；步骤2，将一个或多个第一芯片安装在重布线层的正面；步骤3，在重布线层正面进行晶圆塑封工艺，形成塑封层；步骤4，在对应的晶圆切割道位置切割塑封层，直到暴露出屏蔽层连接口；步骤5，在塑封面及开槽处，形成电磁屏蔽层；步骤6，将临时载片拆键合，在重布线层背面植球；步骤7，将一个或多个第二芯片安装在重布线层的背面；步骤8，切割重布线层形成多个芯片封装体。本发明还提供了相应的电磁屏蔽结构，实现射频芯片屏蔽罩的小型化，减少器件之间的通信距离，实现晶圆级高密度系统级封装。

公开(公告)号：CN119812150A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411914606.6

申请日：2024-12-24

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 胡超

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种硅通孔结构及其制备方法，该硅通孔结构包括硅片，所述硅片一侧表面存在多个凹槽；依次层叠的多个介质层，位于所述凹槽的底面和侧面，以及相邻所述凹槽之间的所述硅片表面；所述介质层的材料为电绝缘材料；金属层，位于所述凹槽内部并填充所述凹槽；所述介质层的热膨胀系数小于所述金属层的热膨胀系数；从所述硅片到所述金属层方向，所述介质层的热膨胀系数逐层增加。与相关技术相比，本发明可以为降低金属层与介质层之间、以及介质层与硅片之间的应力，减少裂纹和分层的风险，提高器件的可靠性及电性能；还可以在金属层与硅片之间提供更强大、更宽频带的绝缘屏障，提高器件的长期可靠性。

公开(公告)号：CN119812147A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411907679.2

申请日：2024-12-24

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 董晓浩 ,  陈立军

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种硅通孔结构及其制造方法。该结构包括：键合层；焊盘，布置在所述键合层之上；第一绝缘层，布置在所述键合层和所述焊盘之上，所述第一绝缘层中布置第一开口；晶圆，布置在所述第一绝缘层之上，所述晶圆中布置通孔，所述通孔的开口尺寸大于所述第一开口的尺寸；第二绝缘层，布置在所述晶圆的上表面和侧面；互连结构，布置在所述第二绝缘层和所述焊盘之上，所述互连结构与所述焊盘电连接。本发明提供的硅通孔结构，在绝缘层开窗时采用干膜作为掩膜，控制干膜开口的尺寸，使得绝缘层开口尺寸小于通孔开口的尺寸，可以避免绝缘层开窗时的notch产生，降低开窗工艺难度，提高产品良率。

公开(公告)号：CN119742303A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411924043.9

申请日：2024-12-25

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 陈立军

IPC: H01L23/556 ,  G01N23/046 ,  G01N23/02 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种TSV抗辐射封装结构及封装方法，TSV抗辐射封装结构包括：第一重布线层，设置于晶圆正面；晶圆，晶圆内部蚀刻有空腔；芯片，设置于晶圆内部空腔内；第二重布线层，设于晶圆背面，并于芯片电连接；辐射防护层，设置于晶圆内部空腔和背面，包裹芯片；TSV通孔，贯穿设置于晶圆，连接第一重布线层与第二重布线层。利用抗辐射材料保护芯片，可用于高能X射线探测、伽马射线探测等领域，提高芯片的防护性能。

公开(公告)号：CN119725122A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411930622.4

申请日：2024-12-25

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 孙轲 ,  李娟

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种混合键合结构的制备方法及混合键合结构，制备方法包括：在第一晶圆一侧表面形成间隔排列的第一金属层；在第一金属层表面形成第一钝化层；在第二晶圆一侧表面形成间隔排列的第二金属层；在第二金属层表面形成第二钝化层；在第二金属层侧部的第二晶圆表面形成聚合物层；聚合物层的厚度大于或等于第一金属层与第二金属层的总厚度；将第一晶圆与第二晶圆热压键合在一起；第一金属层与第二金属层通过第一钝化层和第二钝化层键合连接成一体结构；第一金属层侧部的第一晶圆表面与聚合物层对应接触并键合连接在一起。与相关技术相比，本发明可以提高混合键合界面强度以及混合键合结构的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN119702397A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510041600.0

申请日：2025-01-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 伍浩东

IPC: B05D3/06

Abstract: 本发明提供了一种加速UV胶固化结构，其特征在于，所述结构包括：基板，涂有UV胶用于固化封装结构；UV胶，点涂与基板上，用于固化后固定器件；镜面层，设置于所述基板上，用于反射UV灯光源，加速固化。通过将基板上涂有UV胶区域的涂层，替换为镜面反射的银层，从而使得固化胶体内部固化程度更佳，加快胶体固化速率。

公开(公告)号：CN110890357B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201911346519.4

申请日：2019-12-24

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 薛梅 ,  王启东 ,  宋阳 ,  王文杰 ,  曹立强

IPC: H10D80/00 ,  H10D80/30 ,  H01L23/14 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/52

Abstract: 本发明公开了一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，包括：金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；芯片，所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中；介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；第二基底，所述第二基底设置在所述金属基底的上方；以及天线，所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。

公开(公告)号：CN119581343A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411668668.3

申请日：2024-11-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 王伟 ,  孙鹏

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482

Abstract: 本发明涉及重布线结构技术领域，公开了一种重布线结构的制备方法及重布线结构，方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的一侧表面上形成阻挡层、种子层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理和显影处理，以在光刻胶层形成过孔窗口和布线窗口，过孔窗口暴露种子层；在过孔窗口暴露的种子层上形成第一金属层；去除布线窗口保留的部分光刻胶；在第一金属层和布线窗口暴露的种子层上形成第二金属层；去除光刻胶层、去除未被第一金属层覆盖的种子层和阻挡层以及去除未被第二金属层覆盖的种子层和阻挡层，形成过孔和布线层；在半导体衬底的一侧表面上形成塑封层，以形成重布线结构。本发明可以消除布线层和过孔的对位偏差，从而提高I/O密度。

公开(公告)号：CN110890349B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201911326887.2

申请日：2019-12-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 孙瑜 ,  刘丰满 ,  曹立强

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明公开了一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构，包括：光芯片，所述光芯片的一端具有光互连结构和凹槽；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述光芯片；第一布线层，所述第一布线层设置在所述光芯片的正面，且与所述导电通孔电连接；第二布线层，所述第二布线层设置在所述光芯片的背面，且与所述导电通孔电连接；电芯片，所述电芯片设置在所述光芯片正面上方，且电连接所述第一布线层；盖板，所述盖板设置的所述光芯片的光互结构和凹槽的上方；塑封层，所述塑封层一体塑封所述光芯片的正面、电芯片和盖板；以及外接焊球，所述外接焊球设置在所述光芯片背面下方，且电连接所述第二布线层。

公开(公告)号：CN119110598A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411204755.3

申请日：2024-08-29

Applicant: 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 皇前进 ,  张文强 ,  徐成 ,  孙鹏

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体涉及一种DDR模组封装结构及其制备方法。本发明提供的DDR模组封装结构包括：同层设置的多组DDR芯片组；所述DDR芯片组中包括层叠设置的多个DDR芯片；封装层，包覆各所述DDR芯片组；IPD晶圆，设置于所述封装层的一侧；所述IPD晶圆中至少设置有IPD芯片；IVR芯片，设置于所述封装层的另一侧；所述IVR芯片与所述IPD晶圆电连接；部分所述DDR芯片与所述IPD芯片电连接；部分所述DDR芯片与所述IVR芯片电连接。