高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法

    公开(公告)号:CN119864781A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202510156412.2

    申请日:2025-02-12

    Abstract: 本发明提供了一种高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法,该电路的第一端耦接至电源输入端以及电源输出端之间的通路,其第二端接地,该电路通过浪涌检测模块比较通路电压以及触发电压的电压大小,并仅在比较结果表征通路上发生浪涌时,控制电源模块向泄放控制模块供电,使得基准电压源单元输出基准电压,比较单元对基准电压以及第一电阻的第二端的电压进行第一处理,并输出对应的第一电压至泄放开关的控制端,以控制泄放开关的导通程度,将电源输出端的电压精准钳位至设定的钳位电压;在比较结果表征通路上未发生浪涌时,控制电源模块向泄放控制模块停止供电,使得泄放控制模块停止工作,降低电路产生的损耗。

    一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法

    公开(公告)号:CN118763074A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411038270.1

    申请日:2024-07-30

    Abstract: 本发明的技术方案提供了一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法,通过在所述第一区域内设置依次排布的所述第一P型掺杂区和所述第一N型掺杂区,以构成二极管;通过在所述第二区域内设置依次排布的所述第二P型掺杂区、所述第四N型掺杂区、所述第二N型掺杂区、所述第五N型掺杂区和所述第三P型掺杂区,以构成SCR器件;通过在所述第三区域内设置依次排布的所述第三N型掺杂区和所述第四P型掺杂区,以构成二极管。基于上述技术手段,使静电防护结构集成了二极管和SCR结构,从而降低静电防护结构在大电流下的钳位电压。同时,因为集成的二极管和SCR结构形成对称结构,所以可以忽视所述第一电极和所述第二电极的正反接。

    电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备

    公开(公告)号:CN116908743A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310931651.1

    申请日:2023-07-26

    Abstract: 本发明提供了一种电荷泵故障检测电路、检测方法、充电插头、充电系统及电子设备,其故障检测电路较为简单,其中的第一比较器的第一输入端以及第一电阻均耦接对应的自举电容的一端,其第二输入端以及第一开关均耦接对应的自举电容的另一端,第一电阻还与第一开关耦接;第二比较器的第一输入端以及第二电阻均耦接对应的飞跨电容的一端,其第二输入端以及第二开关均耦接对应的飞跨电容的另一端,第二电阻还与第二开关耦接,第一比较器及第二比较器的输出端均耦接第三检测模块。在电荷泵软启动后,仅需在第一时长内同时闭合N个第一开关以及N个第二开关,在第二时长内断开N个第一开关以及N个第二开关,就可以在较短时间内对电荷泵进行故障排除。

    肖特基二极管及制作方法,以及电子设备及制作方法

    公开(公告)号:CN116072705A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310046958.3

    申请日:2023-01-31

    Abstract: 本发明提供了一种肖特基二极管,包括:肖特基二极管结构,该结构具体包括:衬底、外延层以及若干栅极沟槽;N+型离子注入区与第一势垒层;N+型离子注入区形成于远离若干栅极沟槽一侧的外延层中;第一势垒层形成于N+型离子注入区的表层中;层间介质层,覆盖外延层的表面,且暴露出若干栅极沟槽、若干栅极沟槽之间的外延层以及N+型离子注入区;第一金属层与钝化层,第一金属层形成于第一势垒层的顶端;钝化层包裹第一金属层,且暴露出部分第一金属层的表面;第一焊盘,形成于第一金属层暴露出来的表面上。该技术方案解决了由于传统打线工艺造成的对芯片有效面积的限制的技术问题。进而实现了降低肖特基二极管的压降和提高过电流能力的技术效果。

    SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法

    公开(公告)号:CN115910793A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211464292.5

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法,包括:提供一衬底;在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层;其中,第一外延层包括一凹槽;第一栅氧层形成于凹槽中;形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层、接触孔以及金属层;其中,形成的第一栅氧层的厚度为200‑500nm。本申请提供的技术方案,通过分步外延的方式,解决了形成的第一栅氧层的厚度无法满足器件性能要求的技术问题,进而解决了因底部栅氧厚度没有达到要求而导致的器件击穿电压较小的问题,从而实现了对SiC Trench MOSFET器件较为薄弱的沟槽底部得以有效保护的技术效果。

    高精度电流采集电路以及电子设备

    公开(公告)号:CN115267300A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202211055032.2

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明提供的一种高精度电流采集电路,所述高精度电流采集电路包括:控制模块、第一采集模块、第二采集模块以及运放模块;所述第一采集模块与所述第二采集模块构成镜像采集电流结构;所述第二采集模块包括第二功率管;所述第一采集模块包括N个第一功率管,所述N个第一功率管的尺寸不同,以使得每个第一功率管的尺寸与所述第二功率管的尺寸的比例K值不同;其中,N为正整数,且N≥2;所述控制模块用于选择所述N个第一功率管中的任一第一功率管作为选择功率管;以及用于控制所述第二功率管与所述选择功率管的工作状态;所述控制模块通过切换不同的第一功率管作为所述选择功率管来调节K值,以削弱运放输入失调电压引起的采集误差,提高采集精度。

    一种轻载的检测电路
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112290612B

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202010988605.1

    申请日:2020-09-18

    Abstract: 本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种轻载的检测电路,其中,包括:一电源电压端;一延迟充电模块,延迟充电模块的输入端连接电源电压端,经过一预设的第一延迟时间形成一充电电流;一计数复位模块,计数复位模块的输入端连接延迟充电模块的输出端,用于根据充电电流产生一脉冲信号后,计算脉冲信号对应的脉冲数量;当脉冲数量较小时,计数复位模块于延迟充电模块的输入端进行复位,以进入一低速脉冲模式;一延迟模块,延迟模块的输入端连接计数复位模块的输出端,根据低速脉冲模式持续一预设的第二延迟时间,以输出一轻载退出信号。有益效果:无需增加外部器件和额外芯片引脚,就可以检测到轻载退出信号,且简单可靠。

    开关型电源控制电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114785122A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210551620.9

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本发明提供了一种开关型电源控制电路,包括:开关电源、PWM控制模块、开关导通控制模块以及数字模块;其中:开关电源包括第一开关支路及第二开关支路;第一开关支路的第一端连接输入电压端,其第二端连接第一参考节点,其控制端连接PWM控制模块的第一端;第二开关支路的第一端连接第一参考节点,其第二端连接接地端,其控制端连接PWM控制模块的第二端;PWM控制模块的输入端用于接收PWM脉冲信号,其第一端输出第一驱动信号,其第二端输出第二驱动信号;开关导通控制模块的第一端连接第一参考节点,其第二端连接PWM控制模块的第三端。本发明提供的开关型电源控制电路保证了环路工作的连续性,有效地摆脱了次谐波震荡。

    一种轻载的检测电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112290612A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202010988605.1

    申请日:2020-09-18

    Abstract: 本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种轻载的检测电路,其中,包括:一电源电压端;一延迟充电模块,延迟充电模块的输入端连接电源电压端,经过一预设的第一延迟时间形成一充电电流;一计数复位模块,计数复位模块的输入端连接延迟充电模块的输出端,用于根据充电电流产生一脉冲信号后,计算脉冲信号对应的脉冲数量;当脉冲数量较小时,计数复位模块于延迟充电模块的输入端进行复位,以进入一低速脉冲模式;一延迟模块,延迟模块的输入端连接计数复位模块的输出端,根据低速脉冲模式持续一预设的第二延迟时间,以输出一轻载退出信号。有益效果:无需增加外部器件和额外芯片引脚,就可以检测到轻载退出信号,且简单可靠。

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