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公开(公告)号:CN113632207B
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202080024235.8
申请日:2020-03-26
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/38 , C09J7/29 , H01L21/683
Abstract: 本发明的课题是提供能够使粘贴在板状体(10)的主面(10A)上的膜(20)表面平坦化的粘贴装置,在板状体(10)上粘贴膜(20)的粘贴装置(30)具备:设置有载置所述板状体(10)的载置部(31A)的板状的载置部件(31);设置在所述载置部件(31)的对置位置的板状的按压部件(32);和以位于所述载置部件(31)与所述按压部件(32)之间的方式设置于所述载置部(31A)的外缘的支撑部件(33)。
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公开(公告)号:CN117425949A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202280038372.6
申请日:2022-05-27
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 一种背面研磨用粘着性膜,其为用于保护晶片表面的背面研磨用粘着性膜,具备:基材层和粘着性树脂层,所述粘着性树脂层设置在基材层的一个面侧且由紫外线固化性粘着性树脂材料构成,在测定对紫外线固化性粘着性树脂材料照射紫外线进行固化后的粘弹性特性时,5℃时的储能弹性模量E’(5℃)为2.0×106Pa~2.0×109Pa,100℃时的储能弹性模量E’(100℃)为1.0×106Pa~3.0×107Pa。
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公开(公告)号:CN117397004A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202280038354.8
申请日:2022-05-27
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 一种电子装置的制造方法,至少具备:工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的晶片和贴合于晶片的电路形成面侧的粘着性膜;工序(B),将晶片的与电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨;以及工序(C),对粘着性膜照射紫外线,然后,从晶片除去粘着性膜。这里,粘着性膜具备基材层和紫外线固化型的粘着性树脂层,所述紫外线固化型的粘着性树脂层使用紫外线固化性粘着性树脂材料且设置在基材层的一面侧。另外,按照下述[步骤]那样测定的紫外线固化性粘着性树脂材料的固化膜的‑5℃时的损耗角正切tanδ为0.25~0.85。[步骤](i)使用紫外线固化性粘着性树脂材料形成膜厚0.2mm的膜,对于该膜,在25℃环境下,使用高压水银灯以照射强度100W/cm2、紫外线量1080mJ/cm2照射主波长365nm的紫外线,使其紫外线固化,得到固化膜。(ii)对于固化膜,以频率1Hz、拉伸模式在温度‑50℃~200℃的范围测定动态粘弹性。
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公开(公告)号:CN117397003A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202280038344.4
申请日:2022-05-27
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明是用于保护晶片表面的背面研磨用粘着性膜。该粘着性膜具备:基材层和粘着性树脂层,所述粘着性树脂层设置在基材层的一个面侧且由紫外线固化性粘着性树脂材料构成。对于紫外线固化性粘着性树脂材料,通过以下的步骤(i)和(ii)测定粘弹性特性时,满足以下的特性(A)。[步骤](i)使用紫外线固化性粘着性树脂材料形成膜厚0.2mm的膜,对于该膜,在25℃环境下,使用高压水银灯以照射强度100W/cm2、紫外线量1080mJ/cm2照射主波长365nm的紫外线,使其紫外线固化,得到固化膜。(ii)对于固化膜,以频率1Hz、拉伸模式,在温度‑50℃~200℃的范围测定动态粘弹性。[特性](A)‑5℃时的损耗角正切tanδ为0.25~0.85。
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公开(公告)号:CN109075050B
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN201780021748.1
申请日:2017-03-21
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜(100);工序(B),将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨;工序(C),对粘着性膜(100)照射紫外线之后从上述半导体晶片除去粘着性膜(100)。作为粘着性膜(100),使用具备基材层(10)、以及设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)的粘着性膜。而且,在粘着性膜(100)中,粘着性树脂层(20)包含紫外线固化型粘着性树脂,利用特定的方法测定得到的紫外线固化后的粘着性树脂层(20)的表面的饱和带电压V1为2.0kV以下。
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公开(公告)号:CN116261550A
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202180067289.7
申请日:2021-12-21
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B65D65/40
Abstract: 本发明的课题为提供一种烯烃系聚合物膜,其能以高水准兼具回收性及机械性强度、延伸加工性等作为膜的较优选性质,并且可较简便地以低成本制造。本发明通过一种层叠膜解决该课题,该层叠膜具有含有乙烯系聚合物的中间层(A)、及形成于中间层(A)的单面或两面的含有丙烯系聚合物的表皮层(B),该层叠膜在以10℃/分钟重复2次升温及降温所得的DSC曲线中,在第1次降温行程中于110℃以上125℃以下所观测到的结晶化波峰的半宽度大于3.0℃,在第2次升温行程中具有135℃以上165℃以下的熔点Tm1、及125℃以上且未达135℃的熔点Tm2。
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公开(公告)号:CN116209626A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202180065672.9
申请日:2021-09-28
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B65D65/40
Abstract: 本发明提供一种适合使用在包装袋等的聚乙烯系的层叠膜,所述层叠膜在维持机械强度、抗结块性等优异特性的状态下,撕裂性优异的,及在维持抗结块性等优异特性的状态下,杨氏模数等机械强度经进一步提升的,以及在维持密封强度、耐冲击性等优异特性的状态下,与外层侧膜的层合强度优异且抗结块性也优异的。该课题为通过下列层叠膜来解决,该层叠膜具有:分别含有来自石油的线状低密度聚乙烯的(A)热熔接层、(B)中间层及(C)层合层的层叠膜,于(A)热熔接层、(B)中间层及(C)层合层的至少一层中,含有来自植物的生质聚乙烯。
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公开(公告)号:CN116134106A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202180059247.9
申请日:2021-07-12
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: C09J11/06
Abstract: 一种电子装置的制造方法,其至少具备如下工序:工序(A),准备结构体(100),所述结构体(100)具备具有电路形成面(30A)的电子部件(30)和贴合于电子部件(30)的电路形成面(30A)侧的粘着性膜(50);工序(B),将电子部件(30)的与电路形成面(30A)侧相反一侧的面进行背面研磨;以及工序(C),对粘着性膜(50)照射紫外线之后,从电子部件(30)除去粘着性膜(50),粘着性膜(50)具备基材层(10)和设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20),在工序(C)中,通过下述方法测定的照射紫外线后的粘着性膜(50)的60°剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下。(方法)使用拉伸试验机,在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的粘着性膜(50)从电子部件(30)向60°方向剥离,将此时的强度(N/25mm)设为60°剥离强度。
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公开(公告)号:CN115769360A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202180043869.2
申请日:2021-07-07
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor: 林下英司
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , B24B7/22 , C09J201/00 , B24B41/06 , C09J7/29 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供一种能够抑制吸附不良的发生的保护膜和半导体晶片的背面磨削方法。保护膜(30)为在将半导体晶片(10)的形成有电路的面(11)吸附于固定件(41)的状态下对半导体晶片(10)的背面(12)进行磨削时保护面(11)的膜。保护膜(30)具有粘着剂层(33)、基材层(31)和辅助层(32)。粘着剂层(33)是粘贴于半导体晶片(10)的层,辅助层(32)是与固定件(41)接触的层,半导体晶片(10)为在形成有电路的面(11)的外周缘具有台阶(13)的半导体晶片。
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公开(公告)号:CN115175814A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202180015675.1
申请日:2021-01-25
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B32B27/30 , B32B27/00 , C08J7/04 , H01L21/603 , H05K3/32
Abstract: 本发明提供一种脱模膜,其是用于通过加热压接而进行的电子部件接合的脱模膜,具备耐热性树脂层(A)、以及配置在耐热性树脂层(A)的一面上并且包含氟系树脂的脱模层(B),耐热性树脂层(A)的厚度小于25μm,脱模层(B)的厚度为5μm以下,上述脱模膜的厚度小于25μm。
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