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公开(公告)号：CN112635195A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011473346.5
申请日：2020-12-15
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高面积比容的电容器及其制造方法。所述电容器包括介质基板、第一电极和第二电极，所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔，所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔不连通，所述第一电极填充在所述第一盲孔中且自所述上表面露出，所述第二电极填充在所述第二盲孔中且自所述下表面露出。本发明实施例提供的电容器，通过在介质基板中形成三维柱状电极，可以增大电极的比表面积，得到高面积比容的电容器。
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公开(公告)号：CN109637766A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811568487.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
IPC: H01C17/24
CPC classification number: H01C17/2404
Abstract: 本发明公开了一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法。所述调整方法包括：将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内；将原子注入设备的内部做真空处理，当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时充入高于氩气纯度阈值的氩气，并保持原子注入设备的内部真空压强在第二真空压强阈值范围内；开启原子注入设备，氩气在电场被电离得到氩离子；在电场加速氩离子移动速率的情况下，氩离子加速撞击金属靶，得到脱离后的金属原子；在电场作用下，脱离后的金属原子持续注入到氮化钽薄膜电阻器的氮化钽薄膜上，以降低氮化钽薄膜电阻器的阻值。采用本发明所提供的调整方法能够实现氮化钽薄膜电阻器阻值由大到小的调整，降低氮化钽薄膜电阻器的电阻。
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公开(公告)号：CN109305814A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811570206.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/628 , H01G13/00
Abstract: 本发明公开一种陶瓷电容器的制备方法。采用原子层沉积(ALD)方法包覆陶瓷粉体，能够实现对每一个粉体颗粒的完全包覆，且包覆层的厚度可以方便地做到精确控制。包覆后的粉体烧结成陶瓷电容器，所述陶瓷电容器在额定电压下的绝缘电阻较未包覆样品提高了10倍，极大程度提高了陶瓷电容器的耐电压性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN102732918B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201210116227.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 广州天极电子科技有限公司 , 崔国峰
Abstract: 本发明涉及一种金锡共晶焊料(AuSn20)电镀液及制备方法，其特征在于采用新型的柠檬酸金钾代替传统氰化金钾，减少了对环境的污染，采用其他络合剂络合二价锡，提高了锡盐的稳定性，并且其组成每升中含有金盐1～20g，锡盐1～20g，缓冲剂10～50g，络合剂10～50g，光亮剂0.1g/L～10g/L，抗氧化剂0.1g/L～5g/L。本发明的电镀镀液不但对环境友好，而且可用电流密度较宽，制成的镀层光亮性好，镀层金锡组分控制较精确，熔点280±2℃。适用于对可靠度要求较高的通讯，卫星，遥感，雷达，汽车，航空等领域的光电器件的焊接及封装。
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公开(公告)号：CN106683882B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710046641.4
申请日：2017-01-19
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备薄膜电容器的方法，用水热法合成的钨酸铋和/或钼酸铋颗粒在基底上热处理后得到薄膜电容器的介质层，基底可为导电陶瓷、导体陶瓷或Si/SiO2/Ti/Pt。实现能够在多种基底上沉积介质薄膜，其沉积纳米粉体形状为球状、十字交叉的鳞片状，通过合成工艺可控制介质膜层厚度，应用范围更广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900406B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510291404.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 广州天极电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种高可靠性、高电容量的可键合多层陶瓷电容器及其制备方法，该可键合多层陶瓷电容器包括：多个陶瓷介电层；分别交替地形成在所述多个陶瓷介电层上的多个第一和第二内部电极；以及垂直穿过所述多个陶瓷介电层的第一类和第二类垂直过孔，所述第一类垂直过孔与所述第一内部电极的主电极相连接，并且所述第二类垂直过孔与所述第二内部电极的主电极相连接；所述第一类垂直过孔通向所述电容器的底部，与底部的外部电极相连接，并且所述第二类垂直过孔通向所述电容器的顶部，与顶部的外部电极相连接。
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公开(公告)号：CN106747421A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710052051.2
申请日：2017-01-20
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
IPC: C04B35/47 , C04B35/626 , C04B35/628 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种钛酸锶粉体，以及一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法，该方法主要包括如下步骤：(1)球形偏钛酸的制备；(2)球形掺铌钛酸锶的制备；(3)半导化掺铌钛酸锶；(4)包裹偏钛酸；(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶。本发明采用两步水热合成的办法，制备出绝缘钛酸锶包裹半导化钛酸锶的核‑壳结构粉体，实现了最终合成核‑壳结构粉体的球形形貌，同时为晶界层陶瓷电容器制备提供一种高性能粉体。
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公开(公告)号：CN103971874A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410224666.5
申请日：2014-05-27
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
IPC: H01C17/075
Abstract: 本发明公开了一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法，包括：将需要调控的氮化钽薄膜电阻放置于管式气氛炉内；将管式气氛炉的炉口密封好，并连接上真空泵；启动真空泵对管式气氛炉进行抽气，直到管式气氛炉内的气体压强小于或等于1Pa；向管式气氛炉的炉管内通入纯度大于或等于99.99%的氮气，并使炉管内气体压强维持在1.01×105Pa；对管式气氛炉进行加热，加热到炉管内温度为50℃～600℃，然后进行保温，保温时间为5分钟～60分钟；停止加热，关闭氮气，取出热氮化处理后的氮化钽薄膜电阻；对热氮化处理后的氮化钽薄膜电阻的氮原子含量和阻值进行测量对比。本发明步骤简单，操作方便，提高了生产效率，保障了产品结构的完整性和性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN103780218A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410033392.1
申请日：2014-01-23
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种片式阻容网络模块及其制造方法，包括片式电阻器、电容器和介于电容器和电阻器之间的粘结物，所述电阻器包括电阻陶瓷基板、附着于所述电阻陶瓷基板下表面的电阻下电极、附着于电阻陶瓷基板上表面的电阻体和附着于电阻陶瓷基板上表面且互相分离设置在所述电阻体两端的第一电阻上电极、第二电阻上电极，所述电容器包括电容陶瓷基板、附着于所述电容陶瓷基板上表面的电容上电极和附着于所述电容陶瓷基板下表面的电容下电极。本发明的片式阻容网络模块极大的提高了元器件的封装密度，降低了寄生系数，高频特性和可靠性显著提高。
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公开(公告)号：CN103413791A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310370150.7
申请日：2013-08-22
Applicant: 广州天极电子科技有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种散热良好的陶瓷覆铜膜热沉模块及其制造方法，包括陶瓷基板、金属膜和铜膜层，所述陶瓷基板由氮化铝或氧化铍陶瓷制成，其上表面附着一层金属膜，其下表面附着一层铜膜层。本发明结合离子注入、溅射技术和化学镀或电镀或电铸工艺制备陶瓷覆铜膜热沉模块，不仅结构简单，而且提高了金属与陶瓷的接合牢固度，延长了使用寿命,大幅提升了散热效能，保证了产品质量。
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