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公开(公告)号：CN119894130A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311361131.8
申请日：2023-10-19
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明提供一种曲面图像传感器的制造方法，在可弯曲的基底上形成多个分离的感光单元阵列之后，先通过预压处理使得连通感光单元阵列的金属线形成弯折部，再通过弯曲基底使得多个分离的像素单元阵列形成曲面，从而避免由于不同视场的感光单元阵列的间距不一致造成的金属线断裂，可以统一应用于凹面芯片及凸面芯片的制作过程，有效降低曲面图像传感器芯片的工艺难度，提高产品良率，降低制造成本，实现光线能够大体上垂直照射到感光单元阵列，进而规避场曲像差，改善摄像头模组成像性能。
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公开(公告)号：CN106647912B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201710047497.6
申请日：2017-01-22
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种基于负载的动态频率补偿方法及装置。该装置包括：电荷泵单元，所述电荷泵单元的输出端连接分压模块；误差放大单元，所述误差放大单元连接所述分压模块；动态频率补偿单元，所述动态频率补偿单元的一端连接所述误差放大单元的输出端，另一端连接所述电荷泵单元，所述动态频率补偿单元实现装置的零点随负载变化，且补偿次极点的变化。本发明中，采用基于负载的动态频率补偿单元对电荷泵单元进行补偿，零点跟随负载的变化而变化，因此，系统的单位增益带宽增加，不影响系统的稳定性同时提升了响应的速度。
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公开(公告)号：CN119866083A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202311353608.8
申请日：2023-10-18
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Inventor： 郑展
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，非成像光的传播路径设有至少一凹凸面，所述凹凸面漫反射所入射的非成像光，一方面减弱到达像素区的经反射的非成像光的强度，另一方面改变所述经反射的非成像光的入射角度，从而避免所述经反射的非成像光成像而影响图像效果。所述凹凸面设于介质结构的侧壁，于光刻工艺图形化时定义所述凹凸面，具有制作工艺简单的特点。至少一所述凹凸面设于相邻两介质结构之中，以降低两者之间的应力。而且，根据版图面积灵活设置凹凸面的数量及排布方式，以提高图像传感器的性能。
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公开(公告)号：CN113555376B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010330625.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种图像传感器的像素结构，通过设置位于浮置扩散区与传输晶体管之间的多晶硅结构，增加了浮置扩散区与传输晶体管的间距，减少了浮置扩散区和传输晶体管之间重叠区的面积，减小了栅诱导漏极泄漏电流效应，保证器件性能，通过多晶硅结构包围浮置扩散区，以实现浮置扩散区注入工艺与接触孔刻蚀工艺的自对准，减少了由于接触孔刻蚀位置的偏移而导致的暗电流或白点的产生，此外由于增加的多晶硅结构占据了原有浮置扩散区的部分位置，减小了浮置扩散区的面积，降低了浮置扩散区的电容，提高了浮置扩散区的转化增益能力，保证了输出电压信号范围，改善了图像传感器的整体性能。
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公开(公告)号：CN119724067A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411906453.0
申请日：2024-12-20
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明公开了一种像素渲染方法及显示驱动芯片，该方法准备至少两种不同的渲染基准单元，所述渲染基准单元除由至少两个颜色不同的子像素组成外，其还通过向与其相近的若干子像素借色以形成白点，并且所述渲染基准单元内的每一子像素还向外借出颜色用于相近的渲染基准单元渲染形成白点；其中，所述渲染基准单元内的任意目标子像素至少往三个方向借出颜色用于相近的渲染基准单元的像素渲染；而且，所有的渲染基准单元中，任意目标子像素的渲染满足公式Ax+By=1，以提升像素渲染效果，改善显示均匀性,提高显示图像的保真度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677192A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311201401.9
申请日：2023-09-15
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Inventor： 陈丹科
Abstract: 一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括像素区和外围区；在像素区内形成凹槽；在凹槽内形成第一栅极结构，包括第一栅极层，第一栅极层内具有第一离子，第一栅极层顶部表面高于衬底表面；在衬底上和第一栅极结构上形成外围栅极结构材料层，包括外围栅极材料层；对外围区上的外围栅极材料层的部分区域进行离子注入，使外围区上的外围栅极材料层形成为外围栅极层，所述外围栅极层内具有掺杂离子；对外围区上的外围栅极材料层的部分区域进行离子注入之后，刻蚀衬底上和第一栅极结构上的外围栅极材料层，在高于衬底表面的第一栅极层侧壁形成第一侧墙，在外围区上形成外围栅极结构，包括外围栅极层。所述图像传感器的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN113840053B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010578457.6
申请日：2020-06-23
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种采用移动图像传感器芯片进行运动补偿的光学防抖装置、电子设备，所述光学防抖装置包括：图像传感器芯片、载板、弹性导电件、下基板和记忆合金驱动组件；所述图像传感器芯片设置于所述载板上，所述载板通过弹性导电件的方式与下基板的外部电路实现电连通，其中所述载板适于将所述图像传感器芯片管脚进行线路合并；所述图像传感器芯片在形状记忆合金驱动组件的驱动下在X、Y方向移动以及平面旋转，以进行运动补偿。本发明的技术方案中所提供的光学防抖装置采用图像传感器芯片做运动补偿，所述图像传感器芯片通过金属键合和/或倒装键合的方式与外部电路电学连通，结构简单，能够提高产品良率，降低制造成本，改善图像质量。
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公开(公告)号：CN119560451A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311096265.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
IPC: H01L21/762 , H10D30/67 , H10D30/01
Abstract: 本发明提出了一种场效应晶体管及其制造方法，采用侧向刻蚀工艺直接在硅衬底上形成悬梁，通过在悬梁下方的空间填充介质层以形成绝缘体上硅结构，并将至少一部分漏极、和/或沟道在悬梁上形成。该制造方法不需要引入额外的衬底，避免了使用氧离子注入分割、硅键合等昂贵的绝缘体上硅（SOI）形成技术，而且通过该制造方法制造形成的场效应晶体管可集成度高，功耗低，散热性能好。
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公开(公告)号：CN119496973A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311036368.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种摄像头模组的控制方法，通过在移动载体上设置有磁性部件和多线圈组件中的一种，在底座上设置有磁性部件和多线圈组件中的另一种，所述多线圈组件包括上下堆叠设置的至少两个子线圈组，相对于具有同样匝数的单线圈组件，可以实现更小的电阻，更大的驱动力，并且当所述移动载体位于初始位置时，给所述多线圈组件中的至少部分子线圈组提供驱动电流，以驱动所述移动载体脱离所述初始位置；在所述移动载体脱离初始位置后，通过调节至少部分子线圈组的驱动电流大小、方向或通断，使得所述移动载体达到最佳运动状态，这样能够在不同需求的应用情况下，有不同的驱动力驱动移动载体带动镜头组件沿光轴方向上下移动进行对焦，从而满足不同性能需求。
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公开(公告)号：CN119375669A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411497229.0
申请日：2024-10-24
Applicant: 格科微电子(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片测试治具主板，治具主板上包括第一区域和第二区域，第一区域可扩展耦接扩展测试电路；第二区域环绕第一区域设置，第二区域设置有若干输出接口用于与待测试芯片建立电连接或信号连接。本发明的芯片测试治具主板，具有可扩展、体积小，使用寿命长，待测芯片类型兼容性好，可操作性强等优点，可以保障测试质量的同时大大提高测试效率。
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