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公开(公告)号：CN118935108A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310534453.1
申请日：2023-05-12
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC: F16L9/22
Abstract: 本发明提供一种硅料管道结构及硅料管道组件，其中硅料管道结构包括主管道以及内衬管道，主管道包括不锈钢材料，内衬管道包括硅材料，内衬管道设置于主管道的内部，主管道靠近内衬管道的壁面喷涂有隔绝涂层；本方案中使用主管道涂抹隔绝涂层及内衬管道方式避免硅料与金属接触，防止金属污染，并且加入内衬管道使得防护层更厚，延长保护时间，另外在本硅料管道结构上设置有卡紧件，凸台部以进行对于内衬管道与主管道之间的固定，固定密封方式简便实用，并且可拆卸的设置使得在出现异常时方便更换。
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公开(公告)号：CN117864775A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410077840.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了颗粒硅生产技术领域的一种硅料漏料监控系统及方法，系统包括：通过输送管道连接的原料单元、缓冲单元，以及与所述原料单元和所述缓冲单元信号连接的控制模块；所述原料单元包括第一原料罐、用于测量第一原料罐重量的第一重量传感器以及与所述第一原料罐连接的第一上阀门和第一下阀门；第三备用罐、用于测量第三备用罐重量的第三重量传感器以及与所述第三备用罐连接的第三上阀门和第三下阀门；所述缓冲单元包括第二缓冲罐、用于测量第二缓冲罐重量的第二重量传感器以及与所述第二缓冲罐连接的第二上阀门和第二下阀门。本发明能够解决当硅籽晶在阀门关闭状态下泄漏至下游系统，不能及时发现、隔离、检修故障阀门从而影响正常生产的技术问题。
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公开(公告)号：CN117839244A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410208163.2
申请日：2024-02-26
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
Inventor： 许跃
IPC: B01D3/00 , C01B33/107 , B01D3/14 , B01D3/32 , B01D3/42
Abstract: 本发明公开了一种硅烷生产系统及生产方法，系统包括第一反应精馏装置、分离装置、储存装置和第二反应精馏装置；第一反应精馏装置包括出气口和进液口；分离装置包括进气口、出气口和出液口；第二反应精馏装置包括进液口、出气口和出液口；第一反应精馏装置的出气口和分离装置的进气口连接，第一反应精馏装置的进液口和第二反应精馏装置的出液口连接；分离装置的出气口和储存装置的进口连接；分离装置的出液口和第二反应精馏装置的进液口连接；第二反应精馏装置的出气口和储存装置的进口连接。通过在第一反应精馏装置中进行第一次歧化反应；通过在第二反应精馏装置中对分离出来的氯硅烷混合液进行第二次歧化反应；以此提高氯硅烷的转化率。
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公开(公告)号：CN117548414A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211276384.0
申请日：2022-10-16
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司 , 乐山协鑫新能源科技有限公司
IPC: B08B3/08 , B08B3/02 , B08B9/08 , B08B9/093 , C01B33/035
Abstract: 本发明涉及一种用于生产多晶硅的流化床内壁结硅的清洁方法，包括：在预设的流量、温度、压力条件下，利用一定纯度的氯化氢气体对流化床内壁进行蚀刻，其中，氯化氢气体的流量(Kg/h)与流化床内壁的表面积(M2)的数值比例范围为0.5至3，温度范围为400至1000℃，压力范围为0.1Mpa至0.2Mpa，氯化氢气体的纯度大于等于99.5％。本发明的能够高效地清洁流化床内壁结硅，同时能够有效地利用清洁过程中产生的尾气。
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公开(公告)号：CN117531216A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311631925.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC: B01D3/00
Abstract: 本发明公开了一种用于提高产能的硅烷反应精馏塔及其工作方法，所述精馏塔的上段为精馏段，中段为反应段，下段为提馏段；所述精馏塔的塔顶设有冷凝器，所述精馏塔的塔釜设有再沸器，所述反应段设有多段，多段反应段中均设有分布器和催化剂，所述多段反应段的相邻部位均设有填料段，所述填料段的底部设有集油箱及溢流装置，所述集油箱和溢流装置均与下部反应段中的分布器相连接；本发明在保证正常反应及分离的前提下，在填料段底部增加集油箱及溢流装置，把部分副产物及产物进提浓分离，在副产物被及时移出的时候，反应段的副产物减少，提高了正反应方向的进程，使得反应效率增加，得到更多的产物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109467089B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201710798943.7
申请日：2017-09-07
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC: C01B33/03 , C01B33/029 , C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅生产方法，包括如下步骤：在化学气相沉积反应器的高温环境，通过原料氯代硅烷与氢气发生热分解反应，生成多晶硅，反应产生的尾气经尾气回收系统处理，将分离的氯化氢和氢气混合气体直接返回至化学气相沉积反应器继续参与反应。采用本发明技术方案，回收的氯化氢和氢气混合气体不再进行分离，而直接作为原料参与沉积反应，极大地节约了成本。同时，氯化氢能够抑制反应器内的硅粉产生，消除雾化现象，逐而减少反应器内壁的硅沉积，减少产品的氯含量，提高了产品纯度。
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公开(公告)号：CN117129386A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310948614.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种颗粒硅产品线监控方法及系统，涉及颗粒硅产品线的技术领域，包括：基于颗粒硅产品线上的多个磁性颗粒检测装置的位置，分别记录多个检测装置检测到的磁性物质粒径、数量，以及划分出多个检测区域；基于设定的粒径等级，以及检测到的磁性物质粒径、数量，确定每一个磁性物质的等级序号，并统计出每一检测装置对应的每一等级的磁性物质数量；基于划分出的多个检测区域，以及统计出的所述每一检测装置对应的每一等级的磁性物质数量，分析确定每一所述检测区域是否为磁性物质的变化区域；分析确定每一个检测区域内，磁性物质的数量、粒径是否发生改变，从而方便监控者准确的定位出颗粒硅产品线上出现破损的位置。
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公开(公告)号：CN109503646B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201811525565.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC: C07F7/12 , C07F7/08 , C01B33/107
Abstract: 本发明涉及一种处理多晶硅与有机硅副产高沸点聚合物的方法，包括通过以多晶硅和/或有机硅副产高沸点聚合物为原料和无水氯化氢反应制备含1个硅原子的氯硅烷的方法。在本发明中，以离子液体和正三丁胺或/和伯胺N1923或/和N,N‑二(1‑甲基庚基)乙酰胺（N503）混合物为催化剂，将多晶硅和/或有机硅副产高沸点聚合物和无水氯化氢在反应器中30‑180℃、0.02‑1.2MPa的条件下进行反应，得到含1个硅原子的氯硅烷产物,具有能够在提高多晶硅与有机硅副产高沸点聚合物处理量同时，降低成本，减少催化剂损耗，消除环境污染的优点。
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公开(公告)号：CN116969466A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211582711.5
申请日：2022-12-09
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司 , 乐山协鑫新能源科技有限公司
IPC: C01B33/029 , C01B33/03 , C30B28/14 , C30B29/06 , B01J8/24
Abstract: 本发明涉及一种在流化床内壁设置硅涂层的方法，包括：向流化床内部通入涂硅反应气的步骤，涂硅反应气包括硅烷与氢气，硅烷与氢气的摩尔比为0.2％～8％，涂硅反应气的流速为0.3m/s～1.5m/s；对流化床进行加热的步骤，流化床内壁的加热温度范围为300～900℃；将涂硅尾气排出流化床的步骤，涂硅尾气为涂硅反应气在流化床内部经过反应后的气体。本发明的能够在流化床内壁形成适当厚度的高纯度硅涂层，该硅涂层在流化床内颗粒硅产品的摩擦下较难产生流化床内壁的裸露。
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公开(公告)号：CN108069428B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201611019946.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司
Inventor： 吴德智
IPC: C01B33/107 , B01J19/14 , B01J19/24 , B01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种用于处理多晶硅副产渣浆的装置，包括浆态床反应器，所述的浆态床反应器外壁设置有渣浆进料口和HCl原料进料口，所述浆态床反应器底部通过管道连通废料罐，所述的浆态床反应器顶部通过管道与带有第一换热器的第一储罐连通，所述浆态床反应器外部设有夹套。本发明还公开了利用上述装置处理多晶硅副产渣浆的工艺。本发明的处理多晶硅渣浆的专用系统以浆态床反应器为主，结构简单，设计科学合理，用于处理多晶硅生产过程中渣浆，能够将渣浆中具有活性的硅粉转化为生产原料氯硅烷，实现硅粉利用最大化，完善了多晶硅生产的闭路循环。
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