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公开(公告)号：CN118574064B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410887978.8
申请日：2024-07-04
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种振膜、多层复合膜结构、压力压传感器、气流传感器以及麦克风，其中，振膜包括石墨和/或碳的其它同素异形体，在所述振膜的内部，其中一部分石墨具有一第一特征，所述第一特征为振膜内的二维片状碳晶粒结构在振膜振动方向或者振膜的承力方向上展开并且二维片状碳晶粒结构的展开方向垂直于所述振膜的运动方向，所述振膜内的石墨具备低孔隙率特征，所述振膜内的石墨的表观密度介于1.5 g/cm³到2.2 g/cm³之间。
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公开(公告)号：CN119135122A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411596568.4
申请日：2024-11-11
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成静电和浪涌保护功能的EMI低通滤波器，包括第一TVS结构设有第一P型阱区和接地的P+重掺杂有源区，第二TVS结构设有浮空的第二P型阱区和接地的P+重掺杂有源区，第一P型阱区内、第二P型阱区内设有与N+重掺杂有源区，N型半导体衬底的底部接地，第一P型阱区内的N+重掺杂有源区与N型半导体衬底的底部之间形成有竖直方向的正向ESD通路，第一TVS结构的P+重掺杂有源区与第一P型阱区内的N+重掺杂有源区之间形成有水平方向的反向ESD通路，第二TVS结构也形成有正向ESD通路和反向ESD通路。本发明的有益效果为：能够实现高频信号抑制功能、静电和浪涌保护能力。
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公开(公告)号：CN118433619B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410887973.5
申请日：2024-07-04
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声学结构、一种气流传感器以及一种微机电系统麦克风芯片，其中，声学结构包括：第一背极板、第一柔性连接层、振膜、衬底以及第一隔离层，其中：第一隔离层设置在第一背极板与衬底之间，第一柔性连接层设置在第一背极板与振膜之间，振膜设置在第一背极板的第一侧或第二侧；第一柔性连接层的弹性模量小于振膜弹性模量的1/10。本发明提供的声学结构、气流传感器以及微机电系统麦克风芯片与现有方案相比，在一个给定的压力载荷条件下，振膜的挠度有明显的增加，从而在相同的振膜面积条件下，可以得到更高的传感器灵敏度，或者是在相同灵敏度条件下，振膜面积更小，传感器成本更低。
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公开(公告)号：CN118712194B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411204070.9
申请日：2024-08-30
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供了一种能够适用于超宽温度范围的静电防护器，包括N型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阳极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，P型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阴极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，N型阱区和P型阱区之间设有SCR通路，静电防护器阳极与阴极之间还设有串联的分流模块和温控电阻模块，分流模块包括设置于N型阱区内的PMOS场效应管和设置于P型阱区内的NMOS场效应管，PMOS场效应管的漏极与NMOS场效应管的漏极相连构成分流模块分流路径。本发明的有益效果为：能够实现静电防护器周围工作环境温度变化对其维持电压影响较小。
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公开(公告)号：CN118658844B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411109711.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/482 , H01L25/16
Abstract: 一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅/漏/源极分别连接至同一栅/漏/源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过Cu Clip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110596514B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910880323.7
申请日：2019-09-17
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Inventor： 高东兴
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明公开一种漏电检测电路、装置及方法，其中该漏电检测电路，包括供电电路、保护电路及漏电检测集成芯片；供电电路对交流电源的电压进行半波整流；漏电检测集成芯片获取半波整流后的波形信息，从所述波形信息中提取交流同步信息，根据交流同步信息，控制供电保护电路在交流幅值小于零的时间段内进行自测试，以确认保护电路是否正常；所述漏电检测集成芯片还用于在交流幅值大于预设阈值时输出漏电保护信号。本发明技术方案中通过在半波整流的负半周期内对保护电路进行自检测，避免引起误触发从而引起保护动作，同时供电电路还可以对漏电检测集成芯片供电，避免再额外设置电源，降低了电路成本。
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公开(公告)号：CN109347061B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201811412663.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Inventor： 高东兴
IPC: H02H3/32
Abstract: 本发明公开一种漏电检测集成电路芯片、漏电检测保护电路及电器设备，该芯片包括依次与电流互感器连接的信号转换电路、数字滤波器、检测控制电路及可控硅驱动控制电路；其中，信号转换电路将接收到电流互感器输出的模拟电流检测信号进行放大处理，并转换为数字电流检测信号后输出；数字滤波器对数字电流检测信号进行滤波处理；可控硅驱动控制电路，用于在接收到检测控制电路输出表征电流检测信号为漏电流信号的控制信号时，驱动可控硅导通，以控制脱扣器进行脱扣动作。本发明解决了漏电检测保护芯片抗干扰能力差，易触发误保护动作的问题。
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公开(公告)号：CN117937409B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410315737.6
申请日：2024-03-20
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供一种紧凑的双向静电保护电路，包括并联在所述第一端口和第二端口之间的若干个双向静电泄放单元，所述双向静电泄放单元包括第一静电防护元件串及两个反方向的静电防护元件，所述第一静电防护元件串的第一个静电防护元件一端与第一端口相连，最后一个静电防护元件的一端与第二端口相连，其中一个反方向的静电防护元件的一端与第一端口相连，另一端接所述第一静电防护元件串中的第一个静电防护元件和第二个静电防护元件之间，另外一个反方向的静电防护元件的一端与第二端口相连，另一端接所述第一静电防护元件串中的最后一个静电防护元件和倒数第二个静电防护元件之间。本发明有利于大幅减小产品的版图面积和封装尺寸，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN118249305A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410676864.9
申请日：2024-05-29
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种具有高响应速度和电压箝位功能的浪涌防护电路，被保护电路连接在电源端avdd与接地端avss之间，其包括快速启动电路、泄放电路和电压箝位电路，其中：快速启动电路包括第一电阻R1、第二PNP三极管Q2、第一正向二极管D1、第二正向二极管D2以及第一高压PMOS管PM1，泄放电路包括第一高压NMOS管NM1、第一高压NPN管Q1、第二电阻R2、第二高压PMOS管PM2、第三高压PMOS管PM3、第三电阻R3、第七二极管D7、第二高压NMOS管NM2、第四电阻R4以及第三高压NMOS管NM3，电压箝位电路包括第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5以及第六二极管D6。本发明可以有效减小二极管的尺寸，节省版图面积，并减少二极管的电容，有助于提高稳压功能的响应速度，实现更可靠的保护功能。
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公开(公告)号：CN117895449A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410294576.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供一种低钳位电压型双向静电保护电路及双向静电保护器件，本发明低钳位电压型双向静电保护电路包括PNP双向触发三极管、NPN双向触发三极管、及若干个静电防护元件，其中，所述PNP双向触发三极管的一个P脚、NPN双向触发三极管的一个N脚分别与第一端口相连，所述PNP双向触发三极管的另一个P脚、NPN双向触发三极管的另一个N脚分别与第二端口相连，所述若干个静电防护元件串接后，一端与所述PNP双向触发三极管的N脚相连，另一端与所述NPN双向触发三极管的P脚相连。本发明在维持芯片版图面积的前提下，显著降低静电防护网络的导通电阻和钳位电压，有效提升了芯片的静电耐受等级。
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