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公开(公告)号：CN109932402B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910326723.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种热线型气体传感器芯片，包括：硅基底，包括相对设置的第一表面及第二表面；所述硅基底包括中心加热区及外围支撑区，所述中心加热区包括贯穿所述第一表面以及所述第二表面的空气绝热腔；加热电阻膜，设于第一表面上；加热电极，设于所述第一表面上并部分覆盖所述加热电阻膜；功能层，设于所述加热电阻膜上方并位于所述中心加热区，所述功能层为气体敏感层或环境补偿层。本发明公开的热线型气体传感器芯片，传感器及传感器的制作方法，通过在硅基底上设置加热电极，加热电阻膜及功能层，并将功能层设为气体敏感层或环境补偿层，可制作具有不同功能层的热线型传感器芯片，从而可工业化制作热线型气体传感器芯片。
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公开(公告)号：CN113514163A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110760675.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明公开了一种温度检测器件，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；检测电极，所述基底第一表面设有检测区域，所述检测区域设有连续凹陷结构，所述凹陷结构中设有导电材料，形成检测电极；搭接电极，所检测电极的两端分别设有搭接电极，所述搭接电极与所述检测电极电性连接。本发明技术方案提供的一种温度检测器件，所述检测电极通过凹陷结构形成，通过控制凹陷结构的宽度以及深度可以有效的控制检测电极的电阻，这样可以很大程度上简化制备工艺，检测电极的检测准确性更高，而且通过凹陷结构可以将宽度做的很小，这样可以节约材料，可以使得器件的体积更小。
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公开(公告)号：CN110655034A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810714351.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 上海汽车集团股份有限公司 , 苏州纳格光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基微热板及其制备方法，在硅基底的第一表面依次形成有陶瓷膜以及加热层，所述陶瓷膜通过设定的陶瓷浆料烧结形成，所述加热层通过设定的导电浆料烧结而成，可见，所述陶瓷膜以及所述加热层均有高温烧结工艺形成，具有较好的耐高温性能，故相对于通过低温工艺条件的物理气相沉积形成加热层的现有技术，加热层具有更好的耐高温特性，可以提高稳定性和可靠性。而且可以通过调节陶瓷浆料的组成，调节陶瓷膜的热导率，避免散热较快的问题，从而降低加热功耗。同时，通过对应浆料烧结形成陶瓷膜以及加热层的设备相对于的化学气相沉积以及物理气相沉积设备，设备成本较低，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN110655032A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810879807.5
申请日：2018-08-03
Applicant: 上海汽车集团股份有限公司 , 苏州纳格光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带功能层的陶瓷基微热板及其制备方法，在硅基底的第一表面依次形成有陶瓷膜以及加热层，陶瓷膜通过设定的陶瓷浆料烧结形成，加热层通过设定的导电浆料烧结而成，在加热层的表面形成绝缘介质层，在绝缘介质层的表面形成功能层。陶瓷膜以及加热层均有高温烧结工艺形成，具有较好的耐高温性能，相对于通过低温工艺条件的物理气相沉积形成加热层的现有技术，经过高温烧结工艺形成的加热层具有更好的耐高温特性，可以提高稳定性和可靠性，且设备成本较低，降低了制作成本。功能层与加热层之间具有绝缘介质层，避免了加热信号和感测信号的相互干扰问题。
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公开(公告)号：CN106018484A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610550247.X
申请日：2016-07-13
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种半导体气体传感器芯片、传感器及其制备方法，其中，半导体气体传感器芯片包括：基底，包括相对设置的第一基底表面和第二基底表面；设置于第一基底表面上的加热层和功能层及设置于第二基底表面上的绝热层；绝缘介质层，设置于功能层和加热层之间；加热层较功能层靠近第一基底表面，加热层包括相互电性连接的加热电阻和加热电极，功能层包括相互电性连接的信号感测电极和气体敏感层。与现有技术相比，本发明提供的半导体气体传感器芯片，通过绝热层固定于基座上形成半导体气体传感器，与传统半导体气体传感器制备工艺相比，具有更小的封装尺寸和更低的功耗；与MEMS气体传感器制备工艺相比，制备工艺更简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105606765A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510967588.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
CPC classification number: G01N33/0036 , G08C17/02
Abstract: 本发明提供一种甲醛测试仪，包括传感器、气路气室单元、信号采集处理单元及微处理器单元，所述气路气室单元包括容置所述传感器的传感器腔室、与所述传感器腔室一侧相连的测试气路、与所述测试气路并联设置在所述传感器腔室同侧的校准气路，及设置在所述传感器腔室另一侧的抽气装置，所述测试气路一端与外界待测气体相连，另一端与所述传感器腔室相连；所述信号采集处理单元与所述微处理器单元和所述传感器电性连接，所述抽气装置与所述微处理器电性连接，本发明能对传感器自身的标定进行校准，防止传感器自身漂移影响测量的准确度，使测试结果准确可靠。
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公开(公告)号：CN103058173B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310043056.0
申请日：2013-02-04
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种纳米金属氧化物功能化碳纳米管的制备方法及气体传感器，其中，该方法包括以下步骤：将分散在分散剂中的碳纳米管滴加在衬底表面，并将衬底烘干；将得到的衬底放入铵盐、碱、以及金属盐的混合溶液中；将放有衬底的混合溶液保温一段时间后，取出衬底；将取出的衬底进行退火处理，得到形成在衬底上的纳米金属氧化物功能化碳纳米管。该方法制备过程较为简单，不需要苛刻的反应条件，有利于工业化大规模生产，且成本较低，利用本发明的方法制备的纳米金属氧化物功能化碳纳米管制作气体传感器，可以对某些特定气体，尤其如甲醛进行检测，且精度较高。
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公开(公告)号：CN103698360A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310681936.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种半导体气体传感器，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的信号感测电极，所述信号感测电极包括两个导电电极、以及电性连接所述两个导电电极的功能层；设置在所述表面的加热电极，所述加热电极与所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极环绕所述信号感测电极设置。本发明提供的半导体气体传感器，通过将加热电极环绕信号感测电极设置，可以保证信号感测电极处于加热电极产生的均匀热场中，加热效果稳定，可以有效地提高传感器的响应速率。
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公开(公告)号：CN103675038A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310681109.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种纳米金属氧化物功能化碳纳米管材料及应用该材料制备的甲醛气体传感器，其中该材料包括碳纳米管和氧化镍，所述碳纳米管和氧化镍的质量比为1:0.1~1:30。本发明提供的纳米金属氧化物功能化碳纳米管材料通过其中碳纳米管和氧化镍的特殊配比，使其作为气敏材料应用于甲醛气体传感器中时，可以对于甲醛气体有很好的响应，并且，材料的成本相对较低，可以有利于甲醛气体传感器的产业化实施。
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公开(公告)号：CN103675028A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310677638.4
申请日：2013-12-13
Applicant: 苏州纳格光电科技有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种半导体气体传感器及其制备方法，其中该半导体气体传感器包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极；位于所述加热电极形成的热场内的信号感测电极，所述信号感测电极包括导电电极以及电性连接所述导电电极的气敏材料；其中，所述加热电极和所述信号感测电极之间设置有绝缘介质层。本发明提供的半导体气体传感器通过采用喷墨印刷的方式制备绝缘介质层，可以大大减少传感器的生产成本，并且，喷墨印刷的分辨率高，可以精确定位印刷设计好的图案，工艺流程简单。
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