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公开(公告)号：CN119675642A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510183701.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03K17/284 , H03K17/687 , H02M1/08 , H02M3/158
Abstract: 本发明涉及电子电路设计技术领域，尤其是一种用于高压PMOS的驱动电路，包括参考电位点GND，还包括：第一N型MOS管NM1的源极、第六N型MOS管NM6的源极、第四N型MOS管NM4的源极、第二N型MOS管NM2的源极、第五N型MOS管NM5的源极、第三N型MOS管NM3的源极与GND相连；齐纳二极管D1的负端、电阻R1、第一P型MOS管PM1的源极、齐纳二极管D2的负端、电阻R2、第二P型MOS管PM2的源极、齐纳二极管D3的负端、电阻R3、第三N型MOS管NM3的漏极与VIN相连；驱动控制，用于控制第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2的导通与关断；通过合理设计的电路结构和控制逻辑，实现了对高压PMOS功率管栅源电压的有效控制，提高了驱动能力，降低了导通阻抗，并优化了高压PMOS功率管的性能。
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公开(公告)号：CN119628643A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411663609.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种内嵌两位辅助量化器的SARADC结构，其涉及半导体器件技术领域。包括：包括输入电压模块、高位电容阵列模块、桥接电容模块和比较器模块。本发明所提供的一种内嵌两位辅助量化器的SARADC结构能够实现在宽电压输入的前提下，通过两位辅助量化器生成最高有效位(MSB)和次有效位(MSB‑1)的比较结果，并根据比较结果控制开关阵列的切换以及高位电容的置位与复位，以参与SARADC的量化过程，使得比较器输入端VN和VP的电压范围控制在1.8V内，即实现了宽电压输入条件下对输入信号在低压器件上的量化处理，使SARADC满足了宽电压输入和低工作电压的需求，优化了SARADC的速度、功耗等技术指标。
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公开(公告)号：CN119602660A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510155433.2
申请日：2025-02-12
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于电机控制领域，公开了一种电机相电流数据修调方法及相关装置，包括：获取电机相电流的各采集通道的若干采样数据；根据各采集通道的若干采样数据，获取各采集通道的中性点值和幅值；根据各采集通道的中性点值和幅值，确定各采集通道的修调偏置系数和修调比例系数；根据各采集通道的修调偏置系数和修调比例系数，修调各采集通道的后续采样数据。能够将多个采集通道之间幅值的差值修调至一个较小的范围内，以及将多个采集通道之间中性点值的差值修调至一个较小的范围内，进而实现对电机相电流波形的精确还原，使得电机能够顺利启动并正常运行，节省硬件成本且对于用户无明显感知。
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公开(公告)号：CN119401824A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000212.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低压电荷泵电路及其控制方法，其涉及电源管理技术领域。包括：反相器INV、电荷泵主体结构和输出电容COUT。通过输入端口IN的输入电压和反相器INV的输出电压控制第一N型MOS管MN1与其第一寄生二极管D1、第二N型MOS管MN2与其第三寄生二极管D3、第一P型MOS管MP1与其第二寄生二极管D2和第二P型MOS管MP2与其第四寄生二极管D4的闭合状态，以改变X节点处和Y节点处的电压，通过X节点和Y节点存储的电荷对输出端口OUT的输出电压进行充电。本发明的电荷泵结构精简，能够实现自启动，可广泛应用于电源管理电路中。
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公开(公告)号：CN119396244A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000216.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路，涉及模拟集成电路技术领域，包括：第三电阻，其输入端与NPN型带隙基准源的输出端连接；电流生成模块，其输入端与第三电阻输出端连接，用于产生补偿电流；电流生成模块包括第三NPN型三极管和第四NPN型三极管、第四电阻和第五电阻以及第一P型MOS管和第一P型MOS管；可以调节第四电阻和第五电阻的比例，补偿电流值在中高温以下为0，在高温时与原始带隙基准电压同时漂高，通过第三电阻使原始带隙基准电压高温时的高阶温漂电压得到很好的抑制。补偿电流流过R3后产生的补偿带隙基准电压作为新的带隙电压输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119382628A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411958039.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RC振荡器电路，涉及电源管理技术领域，包括：电流产生模块，其输入端与电源连接，用于产生充电电流；包括PMOS管P1和P2、NMOS管N1‑N3和电阻R1，斜坡电压产生模块，其输入端与电流产生模块的输出端连接，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N4和电容#imgabs0#，PMOS管P1‑P3的尺寸相同；时钟产生模块，其输入端与斜坡电压产生模块输出端连接，输出与D触发器输入连接；包括NMOS管N5，NMOS管N5的栅极与N4的漏极连接。本发明电路可以不需要比较器，只需要输入电源电压就可以产生时钟信号，且时钟周期与电源电压无关。
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公开(公告)号：CN111026222B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201911316730.1
申请日：2019-12-19
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基于开关电容的电压基准源电路，包括三极晶体管结电压VBE产生电路、开关电容电路、输出缓冲级电路。本发明基于开关电容的基准电压电路结构采用带有输入失调补偿电路的开关电容放大器来减小运算放大器输入失调电压对温度系数的影响,同时由于运算放大器失调电压和增益对电路整体性能的影响程度比常规基准降低，从而简化了运算放大器的设计难度，通常采用常规的运算放大器结构已能满足高性能的要求。
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公开(公告)号：CN118554951A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411019671.2
申请日：2024-07-29
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种ADC输出信号的峰值监测方法、系统、设备和介质，包括：当监测周期计数器处于预设的监测周期范围时，采集ADC输出信号的数值，并将所述ADC输出信号的数值与暂存寄存器中存储的历史峰值数据进行比较，得到比较结果；根据所述比较结果，对所述暂存寄存器中的历史峰值数据进行更新，并将更新后的最新峰值数据代替历史峰值数据；将所述暂存寄存器中的所述最新峰值数据写入峰值寄存器中，并通过所述峰值寄存器将所述最新峰值数据进行输出；本发明通过对ADC的输出信号进行峰值动态监测，能够确定数字化信号的峰值幅度，进而有利于优化ADC的输入信号范围。
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公开(公告)号：CN118381324A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410834991.7
申请日：2024-06-26
Applicant: 西安航天民芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于高速通信技术领域，其目的在于提供一种用于高速高精度ADC的升压开关电路，包括电荷泵升压电路、升压时钟生成电路和电压缓冲电路；其中，所述电荷泵升压电路，用于接收初始时钟信号CLKin，并对所述初始时钟信号CLKin进行升压处理，以便得到时钟控制信号CLK_boost；所述升压时钟生成电路，用于接收初始时钟信号CLKin，并对所述时钟控制信号CLK_boost进行二次升压处理，以便得到目标时钟信号CLK_bst；所述电压缓冲电路，用于接收可修调的偏置电流Ibias，并基于所述偏置电流Ibias为所述电荷泵升压电路和所述升压时钟生成电路输入偏置电压。本发明可以提高高速高精度ADC关键路径上的采样开关线性度与采样率，同时可提高高速高精度ADC电路的可靠性以及寿命。
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