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发明公开
碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭审中-实审

公开(公告)号：CN117822109A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311299068.X

申请日：2023-10-08

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社

Inventor： 別役洁 , 星乃纪博 , 镰田功穗 , 土田秀一 , 堀合慧祥 , 冈本武志

IPC: C30B25/20 , C30B29/36

Abstract: [课题]本发明提供使晶体生长速度为高速且从基底面位错转变成贯通刃型位错的转变率得以提高的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭。[解决手段]通过制作由相对于{0001}面具有[1‑100]方向的离轴角的碳化硅形成的种基板，并利用HTCVD法使碳化硅单晶层3在前述种基板生长，从而使前述种基板中包含的基底面位错在晶体生长时转变成贯通刃型位错。

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