一种铜浆、铜浆的制备方法及N型晶硅太阳能电池

    公开(公告)号:CN119943469A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510429326.4

    申请日:2025-04-08

    Abstract: 本发明实施例公开了一种铜浆、铜浆的制备方法及N型晶硅太阳能电池,该铜浆包括有机添加剂、微米级球状铜粉、纳米级球状铜粉、有机粘合剂和玻璃粉;其中,有机添加剂在铜浆中的质量百分比在1.5%~2.2%之间;微米级球状铜粉在铜浆中的质量百分比在70%~77%之间;纳米级球状铜粉在铜浆中的质量百分比在3%~5%之间;有机粘合剂在铜浆中的质量百分比在15.3%~21.3%之间;玻璃粉在铜浆中的质量百分比在2.2%~2.5%之间。本实施例提供了一种廉价且质优的铜浆料,将本实施例中的铜浆应用于N型晶硅太阳能电池的背面栅线电极的制备过程中,解决了现有的银浆比较昂贵导致生产成本增加的问题。

    一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN119730474A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411812370.5

    申请日:2024-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池,该制备方法首先提供N型硅基底,且对N型硅基底的第一表面一侧进行硼扩散掺杂处理,对N型硅基底的第二表面一侧进行磷扩散掺杂处理;其中,第一表面和第二表面是N型硅基底相互背离的两个表面,且第一表面为绒面,第二表面为抛光面,然后在第一表面上形成第一钝化膜层,以及,在第二表面上形成第二钝化膜层,最后采用无主栅工艺,在第一钝化膜层一侧和/或第二钝化膜层一侧进行丝网印刷和烧结处理,形成多个细栅,制得太阳能电池。利用上述方法,提高了太阳能电池的表面的有效利用面积,减少了因设置主栅而导致太阳能电池的表面面积的过多占用,实现了整体太阳能电池较高光电转换效率的效果。

    一种TBC电池的制备方法及TBC电池
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119730446A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411808059.3

    申请日:2024-12-10

    Abstract: 本发明实施例公开了一种TBC电池的制备方法及TBC电池,该制备方法首先在N型硅基底的第一表面上形成掩膜膜层;其中,N型硅基底包括相互背离的第一表面和第二表面,然后对掩膜膜层远离第一表面的一侧进行激光开槽处理,形成叉指状交替排列的第一区域和第二区域,之后在第一区域中印刷硼硅浆料,且对印刷有硼硅浆料的N型硅基底进行烧结处理,以对第一区域进行硼扩散掺杂处理,最后在掩膜膜层远离第一表面的一侧表面上形成第一钝化膜层,且在第一钝化膜层上进行丝网印刷和烧结处理,形成电极结构,制得TBC电池。利用上述方法,采用硼硅浆料实现硼扩散掺杂,提升了TBC电池的光电转换效率,及提升了TBC电池的开路电压值。

    一种光伏组件拆框机及拆框方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119500738A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411971892.X

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开一种光伏组件拆框机及拆框方法,涉及光伏组件回收技术领域,拆框机包括机架、正面下压机构、背面支撑机构和拆框机构;机架内设有拆框位,周侧固定矩形框体,正面下压机构固定于机架顶部,包括压板和第一驱动机构,用于靠近或远离光伏组件,背面支撑机构位于组件下方,包括支撑台和第二驱动机构,拆框机构均匀分布在矩形框体外,包含机械手和第三驱动机构,用于夹持光伏组件边框;使用时,正面下压机构和背面支撑机构从组件上下形成夹持固定,拆框机构从四周将边框拆下。采用本发明的拆框机和拆框方法能够提高光伏组件的拆框效率和拆框质量,减少光伏玻璃碎裂的问题,同时能够拆除接线盒,提升回收物的再利用价值。

    一种TBC电池及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119230666A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411564645.8

    申请日:2024-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种TBC电池及其制备方法,方法包括:提供N型硅基底;N型硅基底包括正面和背面,背面包括叉指状交替排列第一区域和第二区域;利用预设高温条件,在第一区域制备第一隧穿氧化层、第一掺杂层和第一保护层;在第二区域制备第二隧穿氧化层、第二掺杂层和第二保护层;在正面进行正面制绒,并在正面制备第三保护层;对第一区域和第二区域进行丝网印刷和高温烧结,以在第一保护层背离N型硅基底一侧表面形成与第一掺杂层接触的第一电极,以及在第二保护层背离N型硅基底一侧表面形成与第二掺杂层接触的第二电极,制得TBC电池。利用上述方法,实现对第一区域高温极速掺杂,缩短电池制备时间,提高电池转换效率。

    一种硼铝浆、N型IBC电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN119230158A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202310802710.5

    申请日:2023-06-30

    Abstract: 本发明实施例提供了一种硼铝浆、N型IBC电池及其制备方法,其中,本发明实施例所提供的硼铝浆用于激光掺杂形成N型IBC电池中p型掺杂区,该硼铝浆的成分包括铝粉、银粉、硼粉、玻璃粉、有机粘合剂和有机添加剂。通过在铝浆中加入硼粉,直接印刷在n型原硅区域上后进行高温烧结及激光掺杂,即可达到对该n型原硅区域进行高浓度硼掺杂而形成p型掺杂区,避免了采用传统管式硼源的掺杂方式带来的副作用,保证了电池的转换效率,因而解决了现有N型IBC电池p型掺杂区域的形成方式工艺复杂及副作用较多,容易影响电池的光电转换效率的问题。

    一种IBC电池正极栅线铝浆及IBC电池

    公开(公告)号:CN119069155A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202310613000.8

    申请日:2023-05-25

    Abstract: 本发明实施例提供了一种IBC电池正极栅线铝浆及IBC电池,其中,本发明实施例所提供的铝浆包括有机助剂、氮化硼粉、铝粉、镓粉、有机粘合剂和玻璃粉。因为碳化硼具有含硼元素特性,而镓与铝同为第三主族元素,具有与铝相似的化学特性,且镓元素具有超导性和渗透性,在铝浆中添加氮化硼及镓粉,不仅可以与硅形成良好的铝硅合金层及P+层掺杂,还可以渗透到铝晶粒之间,改善材料结构,提高电池的导电性,从而提升电池的效率,从而解决了现有IBC电池正极栅线铝浆无法有效提高电池的光电转换效率的问题。

    一种隧穿氧化层钝化接触电池的激光烧结方法

    公开(公告)号:CN118099282A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410240236.6

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种隧穿氧化层钝化接触电池的激光烧结方法,包括:提供隧穿氧化层钝化接触电池;隧穿氧化层钝化接触电池包括电池片以及金属栅线,金属栅线位于电池片相对设置的两侧的表面;对隧穿氧化层钝化接触电池进行烧结;采用第一激光照射电池片;采用第二激光照射电池片并在金属栅线上施加反向电流,使金属栅线与电池片形成欧姆接触。采用上述技术手段,通过采用第一激光照射电池片能够保证电池片吸收大量的光子,通过第二激光照射电池片并在金属栅线上施加反向电流,如此有利于金属栅线与电池片形成良好的欧姆接触,进而提高隧穿氧化层钝化接触电池的转换效率。

    一种太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114497259B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202011165240.9

    申请日:2020-10-27

    Abstract: 本发明实施例提供了一种太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括晶硅衬底,在其一个表面制备有第一隧穿薄膜层、掺杂多晶硅层、第一钝化层、抗反射层和掩膜层;另一个表面上制备有第二隧穿薄膜层、重掺杂多晶硅层、第二钝化层、超重掺杂多晶硅层和透明导电层。本申请通过引入钝化层实现对掺杂多晶硅层表面良好的化学钝化及场效应钝化,降低载流子在多晶硅层因复合造成的损失,提升光生载流子的有效输出;再通过超重掺杂多晶硅层的引入,实现对其中一个表面场效应钝化的进一步加强,通过不同掺杂浓度产生的电势差值,为光生载流子向外电路输出提供一定的动力,进而再次增大载流子的有效输出,从而有效提高了太阳能电池的转换效率。

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