公开(公告)号：CN1162527A

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN97103180.0

申请日：1997-02-16

Applicant: 三井东压化学株式会社

Inventor： 后藤优实 ,  宫下武博 ,  冈村友之 ,  山崎文晴 ,  福田伸 ,  福田信弘 ,  田尻洋子 ,  川崎登

IPC: B32B27/06 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/5826 ,  B32B15/08 ,  B32B27/06 ,  C23C14/205 ,  C23C14/5853 ,  C23C16/402 ,  H05K3/38 ,  Y10T428/31667

Abstract: 一种采用聚合物模片作基片的层状材料，具有透光性，隔气性和优异的耐碱性。通过进行表面处理，沉积选自周期表2，8，9，10和11族中至少一种金属的氧化物，然后在处理过的表面形成例如硅的氧化物，硅的氮化物和硅的碳化物的隔气层。即使浸入pH12或更高的碱性溶液，隔气层不会从聚合物模片上剥落。按照单位面积金属原子计，处理过表面的金属量优选范围是5×1014原子/cm2-3×1016原子/cm2。在对层状材料上形成的透明导电层用碱刻蚀作图过程中，不会降低层状材料的实用性。

公开(公告)号：CN1157860A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96114403.3

申请日：1996-09-27

Applicant: 三井东压化学株式会社

Inventor： 岩森晓 ,  野崎正平 ,  福田伸 ,  中岛康甫 ,  福田信弘

IPC: C23F1/12

Abstract: 本发明提供含CF3I作为一种成分的干法加工气体，一种ITO(氧化锡铟)和其它导电氧化物的高速各向异性干法浸蚀方法以及由进行如干法浸蚀或真空沉积操作而污染的设备的干式净化方法。

公开(公告)号：CN1168076A

公开(公告)日：1997-12-17

申请号：CN96121391.4

申请日：1996-12-20

Applicant: 三井东压化学株式会社

Inventor： 山崎文晴 ,  冈村友之 ,  福田伸 ,  福田信弘

IPC: H05B33/28

CPC classification number: H05B33/28 ,  Y10S428/917

Abstract: 透明导电叠层，其透明基一个主表面上形成主要含铟、锡和氧的透明导电层，它具极佳耐湿热和耐划伤性，可用于各种透明电极。透明导电层具稳定非晶结构，电阻率不高于1×10-2Ω·cm，电子迁移率不低于20cm2/(V·sec)。其制法为：在高氧浓度下用溅射工艺在基片上形成主要含铟、锡和氧且电阻率高于1×10-2Ω·cm的非晶薄膜，在80-180℃下热处理使电阻率降到不高于1×10-2Ω·cm并保持非晶结构。