公开(公告)号：CN1777560A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480011066.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大池俊辅 ,  高村一夫 ,  村上雅美 ,  洼田武司

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/00

CPC classification number: H01L21/02216 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。

公开(公告)号：CN100339302C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200480011066.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大池俊辅 ,  高村一夫 ,  村上雅美 ,  洼田武司

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/00

Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。

公开(公告)号：CN1681737A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si－O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si－X－Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si－A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1331745C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si-A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。