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公开(公告)号:CN113736307B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202110589076.2
申请日:2021-05-28
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 根据本发明的一个方面,提供了用于发光装置的空穴传输油墨组合物、发光装置和制备发光装置的方法,空穴传输油墨组合物包括由式1表示的粘合促进化合物和空穴传输化合物:式1A1‑B1‑C1其中,在式1中,变量为本文中限定的。
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公开(公告)号:CN115867098A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211152466.4
申请日:2022-09-21
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 公开一种墨组合物、发光元件及该发光元件的制造方法。一实施例提供一种墨组合物,包括:混合溶剂,包含第一溶剂和第二溶剂;以及发光材料,其中,第一溶剂和第二溶剂各自的蒸气压为1×10‑4以上,沸点为270℃以下。可以提供一种通过将一实施例的墨组合物应用于发光元件的发光层的形成而使效率得到提高的发光元件。
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公开(公告)号:CN114256388A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202111032012.9
申请日:2021-09-03
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 一种用于制造显示装置的墨包括:溶剂;以及发光元件,设置在溶剂中,其中,发光元件包括:第一半导体层,包括第一类型的半导体;以及第二半导体层,包括第二类型的半导体,并且墨的电导率是约1.5μS/m或更小。还提供了一种使用该墨制造显示装置的方法和通过该方法制造的显示装置。
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公开(公告)号:CN113972309A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202110617244.4
申请日:2021-06-03
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 公开了发光元件的存储装置、包括其的印刷装置及使用其制造显示装置的方法。发光元件的存储装置可以包括存储容器、第一电极、第二电极和电源供应部,其中:存储容器容纳内容物,该内容物包括其中分散有至少一个发光元件的溶剂;第一电极布置在存储容器的下部表面上;第二电极布置在存储容器的与下部表面相对的上部表面上;电源供应部与第一电极和第二电极中的每一个电连接,以施加与第一电极和第二电极中的每一个对应的信号。在这里,第一电极和第二电极可以沿竖直方向形成电场。此外,发光元件可以包括位于长度方向上的两端处的第一端部和第二端部,并且长度方向可以与竖直方向平行。
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公开(公告)号:CN113745386A
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202110577079.4
申请日:2021-05-26
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种发光器件以及制备发光器件的方法。该发光器件可以包括:半导体区域,包括第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层;第一保护层,在半导体区域的表面的至少一部分上且包括III‑V族化合物;以及第二保护层,在第一保护层上且包括金属氧化物。
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公开(公告)号:CN113527945A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110428714.2
申请日:2021-04-21
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了发光元件墨和制造显示装置的方法。所述发光元件墨包含发光元件溶剂;分散在所述发光元件溶剂中的发光元件,所述发光元件包括多个半导体层和围绕所述半导体层的外表面的绝缘膜;分散在所述发光元件溶剂中的增稠剂,其中所述增稠剂的化合物包含能够与所述发光元件溶剂的化合物或所述增稠剂的另一个化合物一起形成氢键的官能团,并且所述增稠剂的所述化合物由以下化学式1表示:化学式1
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公开(公告)号:CN113161461A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202011022301.6
申请日:2020-09-25
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种发光元件及包括该发光元件的显示装置。所述发光元件包括:第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层;保护层,围绕第一半导体层、第二半导体层和活性层中的至少一个的外表面;以及绝缘层,围绕保护层的外表面。第一半导体层、第二半导体层和活性层中的至少一个的表面包括第一晶格点,其中,保护层包括第一原子和第二原子,并且其中,保护层的第一原子在第一晶格点处。
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公开(公告)号:CN112210179A
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN202010657752.0
申请日:2020-07-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C08L39/04 , C08L33/14 , C08L33/08 , C08L33/24 , C08L33/10 , C08L51/08 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08K3/22 , C08J5/18
Abstract: 提供了一种含量子点材料、其制备方法以及包括其的光学构件和设备。所述含量子点材料包括:含量子点复合物,包括量子点和第一基质材料;以及第二基质材料,其中,量子点分散在第一基质材料中,含量子点复合物分散在第二基质材料中,并且第一基质材料的折射率大于第二基质材料的折射率。
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