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公开(公告)号：CN114664900A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111595653.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 一种显示装置，包括：基板，所述基板包括显示区和非显示区；掩模支架，所述掩模支架设置在所述基板的所述非显示区中；密封剂，所述密封剂设置在所述基板的所述非显示区中并且设置在所述掩模支架与所述显示区之间；绝缘层，所述绝缘层设置在所述密封剂与所述掩模支架之间；以及多个凹槽，所述多个凹槽通过去除所述绝缘层的至少一部分形成。
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公开(公告)号：CN102136488B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201010573443.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02595 , H01L21/8234 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，所述OLED显示器包括：基底主体；绝缘层图案，形成在所述基底主体上，并包括第一厚度层和比所述第一厚度层薄的第二厚度层；金属催化剂，分散在所述绝缘层图案的第一厚度层上；多晶半导体层，形成在所述绝缘层图案上，并分为第一晶体区域和第二晶体区域，所述第一晶体区域与所述第一厚度层对应并与所述第二厚度层的与所述第一厚度层相邻的一部分对应，所述第二晶体区域与所述第二厚度层的剩余部分对应。所述多晶半导体层的第一晶体区域是通过所述金属催化剂结晶的，所述多晶半导体层的第二晶体区域通过固相结晶形成。
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公开(公告)号：CN119562689A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411126753.7
申请日：2024-08-16
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10H29/80 , H10K59/122 , H10K59/80 , H10K50/856 , H10K50/80
Abstract: 提供了一种显示装置，所述显示装置包括：像素电极，在基底上；堤层，在基底和像素电极上并且划分发光区域和非发光区域；发光元件，在像素电极上并且包括第一半导体层、第二半导体层和置于第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；第一过孔层，在像素电极上并且在发光元件的至少一部分侧面周围；共电极，在第一过孔层、发光元件的从第一过孔层突出的侧面以及发光元件的顶表面上；第一绝缘层，在共电极上；分隔壁单元，在第一绝缘层上并且与堤层叠置；第二绝缘层，在分隔壁单元上；反射层，在分隔壁单元的侧面和发光元件的侧面周围并且在分隔壁单元与发光元件之间位于第一绝缘层上；第二过孔层，在分隔壁单元之间；以及波长转换层。
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公开(公告)号：CN103094081B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210210709.5
申请日：2012-06-20
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L21/268 , H01L51/56
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/3262
Abstract: 用于对形成在衬底上的半导体层进行晶化的晶化装置，包括：激光发生器，生成激光束；以及台，所述衬底安装在所述台上，其中，所述半导体层被分成多个晶化区域和多个非晶化区域，所述激光束多次照射在所述晶化区域上，以使所述晶化区域晶化，其中，所述激光束多次照射在相同晶化区域的不同位置上。
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公开(公告)号：CN102270656B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110158474.5
申请日：2011-06-07
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1288 , H01L27/3248
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。该OLED显示器包括：基底主体；多晶硅层图案，包括形成在基底主体上的多晶有源层和第一电容器电极；栅绝缘层图案，形成在多晶硅层图案上；第一导电层图案，包括形成在栅绝缘层图案上的第二电容器电极和栅极；层间绝缘层图案，形成在第一导电层图案上；第二导电层图案，包括形成在层间绝缘层图案上的源极、漏极和像素电极。栅绝缘层图案与多晶硅层图案和第一导电层图案中的任意一个同时被图案化。
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公开(公告)号：CN118197220A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311689464.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 提供了一种显示装置和包括显示装置的拼接显示装置。所述显示装置包括：脉冲宽度调制(PWM)数据线，用于分别接收PWM数据电压；第一数据线至第三数据线，用于分别接收第一数据电压至第三数据电压；子像素，分别连接到PWM数据线，分别连接到第一数据线至第三数据线，并且分别包括至少一个发光元件；全局电源线，用于接收全局电源电压；以及第一解多路复用器，在PWM数据线与全局电源线之间，其中，PWM数据电压具有在从黑色灰度电压到白色灰度电压的范围内的灰度电压，黑色灰度电压大于或等于全局电源电压。
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公开(公告)号：CN102916032A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210022944.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3265 , H01L51/5265 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示装置。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：位于基板上的有源层和电容器的位于与有源层相同的水平上的下电极，位于有源层和下电极上且具有使下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；TFT的位于第一绝缘层上的栅电极，和电容器的位于下电极和第一绝缘层上的上电极，上电极具有使第一空隙和第一绝缘层的一部分暴露的第二空隙；布置在栅电极和源电极以及漏电极之间的第二绝缘层，该第二绝缘层未布置在上电极上、第一绝缘层的第一空隙中或上电极的所述第二空隙中。
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公开(公告)号：CN116504905A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310042116.0
申请日：2023-01-12
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 本公开涉及显示装置和拼接显示装置。显示装置包括：衬底；多个电极焊盘，包括在衬底上的第一电极焊盘和公共电极焊盘；发光元件，包括在第一电极焊盘上的第一接触电极和在公共电极焊盘上的第二接触电极；导电粘合构件，包括连接第一电极焊盘和第一接触电极并连接公共电极焊盘和第二接触电极的多个导电球；以及多个突出部，在衬底上并且在衬底的厚度方向上突出。多个突出部中的第一突出部在衬底的厚度方向上与电极焊盘重叠。
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公开(公告)号：CN112701135A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011064254.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星显示有限公司
Inventor： 申旼澈
Abstract: 显示装置包括：设置在第一基板上的晶体管；设置在晶体管上的绝缘层；设置在绝缘层上的第一电极；设置在第一电极和绝缘层上的隔离物，通过隔离物限定开口；设置在开口中的发光元件层；以及设置在发光元件层和隔离物上的第二电极。绝缘层包括彼此具有不同的高度的第一区域和第三区域以及具有连接第一区域和第三区域的倾斜表面的第二区域，第一区域具有比第三区域低的高度，并且第一电极在垂直于第一基板的方向上与第一区域重叠。
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公开(公告)号：CN102916032B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210022944.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3265 , H01L51/5265 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示装置。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：位于基板上的有源层和电容器的位于与有源层相同的水平上的下电极，位于有源层和下电极上且具有使下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；TFT的位于第一绝缘层上的栅电极，和电容器的位于下电极和第一绝缘层上的上电极，上电极具有使第一空隙和第一绝缘层的一部分暴露的第二空隙；布置在栅电极和源电极以及漏电极之间的第二绝缘层，该第二绝缘层未布置在上电极上、第一绝缘层的第一空隙中或上电极的所述第二空隙中。
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