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公开(公告)号:CN104716194A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201410438512.6
申请日:2014-08-29
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 公开了一种能够降低薄膜晶体管的源电极与漏电极之间的电压的薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置。一个具有创造性的方面包括栅电极、半导体图案、源电极和漏电极。源电极和漏电极形成在半导体图案上并且彼此间隔开。源电极和漏电极中的至少一个不与栅电极重叠。
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公开(公告)号:CN104779255B
公开(公告)日:2020-04-14
申请号:CN201510017501.5
申请日:2015-01-12
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 一种显示面板包括:基底基板,包括像素区域和外围区域;半导体层,设置在一部分基底基板上;显示元件,设置在像素区域中;和第一薄膜晶体管,控制显示元件并且包括输入电极、输出电极和控制电极,其中半导体层包括:第一部分,设置在第一薄膜晶体管的输入电极上;第二部分,设置在第一薄膜晶体管的输出电极上;和第三部分,第三部分连接第一部分和第二部分、交叠第一薄膜晶体管的控制电极、并且限定第一薄膜晶体管的沟道。
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公开(公告)号:CN104425518B
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201410425787.6
申请日:2014-08-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制造方法,该显示面板包括:其上限定像素区域和外围区域的基底基板;设置在基底基板上的半导体图案;设置在基底基板的像素区域中的显示元件;以及配置为控制显示元件的第一薄膜晶体管,其中第一薄膜晶体管包括设置在半导体图案的第一部分上的输入电极、设置在半导体图案的第二部分上的输出电极、半导体图案的在第一部分和第二部分之间的第三部分、以及设置在第三部分上并与第三部分绝缘的控制电极。
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公开(公告)号:CN106206602A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201510455327.2
申请日:2015-07-29
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L27/1281 , H01L29/78675
Abstract: 公开了薄膜晶体管基底、包括其的显示装置以及它们的制造方法,该薄膜晶体管基底包括:基底;晶体硅层,在基底上;以及覆盖层,覆盖晶体硅层,并且包括具有第一厚度的第一部分和具有比第一厚度大的第二厚度的第二部分。
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公开(公告)号:CN104425518A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410425787.6
申请日:2014-08-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制造方法,该显示面板包括:其上限定像素区域和外围区域的基底基板;设置在基底基板上的半导体图案;设置在基底基板的像素区域中的显示元件;以及配置为控制显示元件的第一薄膜晶体管,其中第一薄膜晶体管包括设置在半导体图案的第一部分上的输入电极、设置在半导体图案的第二部分上的输出电极、半导体图案的在第一部分和第二部分之间的第三部分、以及设置在第三部分上并与第三部分绝缘的控制电极。
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公开(公告)号:CN104779255A
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201510017501.5
申请日:2015-01-12
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 一种显示面板包括:基底基板,包括像素区域和外围区域;半导体层,设置在一部分基底基板上;显示元件,设置在像素区域中;和第一薄膜晶体管,控制显示元件并且包括输入电极、输出电极和控制电极,其中半导体层包括:第一部分,设置在第一薄膜晶体管的输入电极上;第二部分,设置在第一薄膜晶体管的输出电极上;和第三部分,第三部分连接第一部分和第二部分、交叠第一薄膜晶体管的控制电极、并且限定第一薄膜晶体管的沟道。
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