公开(公告)号：CN117479531A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310863414.6

申请日：2023-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏永 ,  吕晟溱 ,  柳原锡 ,  禹再珉 ,  丁璟钰 ,  郑明勋 ,  洪润基

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。

公开(公告)号：CN116997181A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310473453.5

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  吴相允 ,  柳原锡 ,  丁璟钰 ,  姜荷诗

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区；有源区的侧表面上的隔离区；栅极沟槽，与有源区相交，并且延伸到隔离区中；栅极沟槽中的栅极结构；第一杂质区和第二杂质区，在栅极结构的两侧上的有源区中，并且彼此间隔开；位线结构，包括与栅极结构相交的线部和在线部下方并电连接到第一杂质区的插塞部；以及在插塞部的侧表面上的绝缘结构。绝缘结构包括：间隔物，包括第一材料；绝缘图案，在插塞部和间隔物之间，并且包括第二材料；以及绝缘衬层，覆盖绝缘图案的侧表面和底表面，并且包括第三材料。