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公开(公告)号：CN117276341A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310737782.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；有源区，在基板上在第一方向上延伸；栅极结构，在基板上在第二方向上延伸并包括栅电极；源极/漏极区，提供在有源区上在栅极结构的至少一侧；层间绝缘层，覆盖栅极结构；第一接触结构，在栅极结构的至少一侧连接到源极/漏极区；以及栅极接触结构，至少部分地穿过层间绝缘层并连接到栅电极，其中栅极接触结构包括：第一层，包括导电材料；第二层，提供在第一层上，通过第一层与层间绝缘层间隔开，并包括第一杂质；以及第三层，提供在第二层上并包括第二杂质。
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