公开(公告)号：CN101359493B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810086943.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全大暎 ,  闵桐基 ,  高亨守 ,  洪承范

IPC: G11B9/02

CPC classification number: G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

Abstract: 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。

公开(公告)号：CN102760458A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210194943.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全大暎 ,  闵桐基 ,  高亨守 ,  洪承范

IPC: G11B9/02 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

Abstract: 本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。

公开(公告)号：CN101359493A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810086943.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全大暎 ,  闵桐基 ,  高亨守 ,  洪承范

IPC: G11B9/02

CPC classification number: G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

Abstract: 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。