-
公开(公告)号：CN1794066A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510022944.X
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该TFT阵列面板包括：在绝缘基板上形成的栅极线和栅电极；在绝缘基板上的存储电极线；在栅极线和存储电极线上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的第一半导体；在第一半导体上所形成、位于栅电极上方且相互间隔开的数据线和漏电极；在第一半导体上所形成并具有暴露漏电极的接触孔和暴露存储电极上的栅极绝缘层的开口的钝化层；以及通过接触孔连接到漏电极并通过开口交迭存储电极的像素电极。
-
公开(公告)号：CN100458533C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510022944.X
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该TFT阵列面板包括：在绝缘基板上形成的栅极线和栅电极；在绝缘基板上的存储电极线；在栅极线和存储电极线上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的第一半导体；在第一半导体上所形成、位于栅电极上方且相互间隔开的数据线和漏电极；在第一半导体上所形成并具有暴露漏电极的接触孔和暴露存储电极上的栅极绝缘层的开口的钝化层；以及通过接触孔连接到漏电极并通过开口交迭存储电极的像素电极。
-
公开(公告)号：CN1873489A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
-
公开(公告)号：CN1933165B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200610153837.5
申请日：2006-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227
Abstract: 本发明提供了一种包括多个透光的像素区的阵列基底，该阵列基底包括：开关元件，设置在由栅极线和源极线限定的每个像素区中，其中，开关元件与栅极线和源极线电连接；像素电极，与开关元件电连接；第一绝缘层，设置在开关元件上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的下面，其中，第二绝缘层的厚度取决于红光的峰值波长。
-
公开(公告)号：CN101447491B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810180770.3
申请日：2004-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接，其中，像素电极和漏极位于基片上的不同的层上，半导体除具有凸起部外，具有与第二信号线相同的平面形状。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1933165A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610153837.5
申请日：2006-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227
Abstract: 本发明提供了一种包括多个透光的像素区的阵列基底，该阵列基底包括：开关元件，设置在由栅极线和源极线限定的每个像素区中，其中，开关元件与栅极线和源极线电连接；像素电极，与开关元件电连接；第一绝缘层，设置在开关元件上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的下面，其中，第二绝缘层的厚度取决于红光的峰值波长。
-
公开(公告)号：CN1607446A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410090523.6
申请日：2004-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1335 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其包括：第一基底；形成在第一基底上的第一信号线；形成在第一基底上并与第一信号线相交的第二信号线；与第一信号线和第二信号线相连的薄膜晶体管；与薄膜晶体管相连的像素电极；第二基底；形成在第二基底上的公共电极；设置在第一基底和第二基底之间的液晶层；以及形成在第一和第二基底中一个上并具有槽口的倾斜方向确定元件。
-
公开(公告)号：CN1873489B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
-
公开(公告)号：CN100514640C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410083927.2
申请日：2004-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接。
-
公开(公告)号：CN101447491A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180770.3
申请日：2004-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接，其中，像素电极和漏极位于基片上的不同的层上，半导体除具有凸起部外，具有与第二信号线相同的平面形状。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.029 seconds)
