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公开(公告)号:CN117856752A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311278141.5
申请日:2023-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种放大器,其包括:差分输入信号分别施加到栅极端子的第一‑第一(1‑1)晶体管和第一‑第二(1‑2)晶体管;第二‑第一(2‑1)晶体管,包括:连接到1‑1晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的一个的另一端;第二‑第二(2‑2)晶体管,包括:连接到1‑2晶体管的一端、配置为接收操作信号的栅极端子、以及配置为输出差分输出信号中的另一个的另一端;以及连接到1‑1晶体管的一端和1‑2晶体管的一端的开关。开关配置为基于1‑1晶体管、1‑2晶体管、2‑1晶体管和2‑2晶体管关断而导通。
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公开(公告)号:CN119545215A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411198268.0
申请日:2024-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电子电路和包括其的电子电路系统、以及接收电路系统。所述电子电路包括:第一电感器,连接到输入端子;第二电感器和第三电感器,彼此串联连接并且与第一电感器并联连接;第一开关,连接在第二电感器与第三电感器之间;以及处理器,电连接到第一开关。处理器可被配置为:响应于第一请求,闭合第一开关,使得第一频带中的第一信号通过所述电子电路的输出侧被输出;并且响应于与第一请求不同的第二请求,断开第一开关,使得低于第一频带的第二频带中的第二信号通过所述输出侧被输出。
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公开(公告)号:CN119543968A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411141808.1
申请日:2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括用于隔离的开关的RF电路和包括其的无线通信装置。所述RF电路包括:第一端口和第二端口,接收第一RF信号和第二RF信号;第(1‑1)放大级和第(1‑2)放大级,连接到第一端口和第一地以对第一RF信号进行放大;第(2‑1)放大级和第(2‑2)放大级,连接到第二端口和第二地以对第二RF信号进行放大;第(1‑1)开关和第(1‑2)开关,第(1‑1)开关连接到第(1‑1)放大级和第二地,第(1‑2)开关连接到第(1‑2)放大级和第二地;第(2‑1)开关和第(2‑2)开关,第(2‑1)开关连接到第(2‑1)放大级和第一地,第(2‑2)开关连接到第(2‑2)放大级和第一地;以及混频器级,将第一RF信号或第二RF信号与LO信号进行混频。
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公开(公告)号:CN118018050A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202310799164.4
申请日:2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种收发机和包括该收发机的无线通信设备,具体地,一种收发机包括:移相器,被配置为在接收模式中调整在移相器的第一节点处输入的接收信号的相位,以提供从所述移相器的第二节点输出的输出接收信号,并且在发送模式中调整在第一节点处输入的发送信号的相位,以在第二节点处提供输出发送信号。
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公开(公告)号:CN119561508A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202411183806.9
申请日:2024-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了单位放大电路、放大器和接收电路。单位放大电路包括推挽电路、对称电路和路径控制电路,该推挽电路具有晶体管,该晶体管具有连接到输入端子的栅极,该对称电路对称地连接到推挽电路并且被配置为在第一运行模式下被关断并且在第二运行模式下被导通,该路径控制电路连接到晶体管的漏极并且被配置为在第一运行模式下将晶体管的漏极和输出端子连接并且在第二运行模式下将晶体管的漏极和输出端子断开。
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公开(公告)号:CN118017945A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202310847401.X
申请日:2023-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了放大器、多级放大器和无线通信装置。所述放大器包括:第一晶体管和第二晶体管,差分输入信号分别被施加到第一晶体管和第二晶体管的栅极端子;第三晶体管,具有连接到第一晶体管的第一端、接收第一偏置信号的栅极端子、和输出差分输出信号对的第一差分输出信号的第二端;第四晶体管,具有连接到第二晶体管的第一端、接收第二偏置信号的栅极端子、并且具有输出第二差分输出信号的第二端;以及电容器对,结合到第三晶体管和第四晶体管,并且具有相对于彼此的交叉结合结构。
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公开(公告)号:CN116743110A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310231437.5
申请日:2023-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供CMOS芯片和包括CMOS芯片的电子装置。所述CMOS芯片包括:信号转换电路,被配置为转换基带信号和射频信号;多个端口,射频信号通过所述多个端口被发送或接收,所述多个端口分别包括在第一发送路径、第二发送路径和接收路径中;以及多个匹配网络,连接到信号转换电路,所述多个匹配网络分别连接到所述多个端口,所述多个匹配网络之中的第一匹配网络包括外部匹配网络,并且外部匹配网络被配置为执行化合物半导体装置的阻抗匹配。
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