公开(公告)号：CN1619818A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410092659.0

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘硕垣 ,  吴京锡 ,  朴柱成 ,  辛中铉

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。

公开(公告)号：CN1310328C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410092659.0

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘硕垣 ,  吴京锡 ,  朴柱成 ,  辛中铉

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。