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发明公开
半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118382292A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410041363.3

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申永奉 , 李知勋 , 姜美惠 , 罗峻熙 , 南泌旭 , 芮态基

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：堆叠结构，在衬底上，沿第一方向延伸，并且包括彼此交替地堆叠的栅电极层和绝缘层；竖直结构，包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的竖直沟道膜和设置在竖直沟道膜上的沟道绝缘膜，并且具有与绝缘层相邻的第一区域和与栅电极层相邻的第二区域；以及高k膜，在沟道绝缘膜上。高k膜包括第一高k金属氧化物膜和第二高k金属氧化物膜，其中，第一高k金属氧化物膜在第一区域和绝缘层之间并且与第一区域接触，第二高k金属氧化物膜在第二区域和栅电极层之间并且与第二区域接触，并且第一高k金属氧化物膜和第二高k金属氧化物膜包括不同的金属材料。

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