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公开(公告)号：CN1904698A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108110.5
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13363 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的实施例公开了一种偏振补偿膜、具有该偏振补偿膜的显示面板组件和该偏振补偿膜的制造方法。所述显示面板组件包括显示面板、设置在该显示面板上方的第一偏振板、设置在该显示面板下方的第二偏振板、和设置在该第一偏振板上方的偏振补偿膜。该偏振补偿膜包括偏振棱镜膜和相差膜。该偏振棱镜膜把自然光波分为具有第一偏振态的正常波和具有第二偏振态的异常波。该相差膜把异常波的第二偏振态转变为第一偏振态。
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公开(公告)号：CN1896814A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101949.6
申请日：2006-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1341
Abstract: 一种显示基板，包括具有外涂层的基板。该基板包括多个像素单元。每个像素单元具有光线所穿过的透射区域以及反射光线的反射区域。外涂层具有在相邻像素元件之间的开口。放置外涂层以与反射部分的位置相对应。因此，可以容易地将液晶添加到包括该基板的LCD面板中。
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公开(公告)号：CN1673844A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510071682.6
申请日：2005-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种透反射LCD的制造方法，包括：通过依次沉积透明电极层和栅极金属层在衬底上形成多层；通过构图所述多层，形成栅极线、栅极电极、栅极焊盘形成部分和数据焊盘形成部分；形成栅极绝缘层；形成半导体层；形成数据线、源极电极和漏极电极；形成钝化层和有机绝缘层；通过分别暴露在透明电极的栅极焊盘形成部分和数据焊盘形成部分的接触孔形成栅极焊盘和数据焊盘。因此，本发明的一个目的是提供一种使用较少掩模的透反射LCD的制造方法及所制造的透反射LCD。
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公开(公告)号：CN1573487A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049393.1
申请日：2004-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/136218
Abstract: 阵列基底包括透明基底、像素电极、开关器件、数据线、栅极线和光阻挡层。像素电极与透明基底相隔第一距离。数据线与透明基底相隔第二距离，数据线设置在像素电极之间的区域下方。数据线电连结到源电极，并且数据线具有第一宽度。栅极线电连结到栅电极以导通/截止开关器件。对应于存储电极的光阻挡层与透明基底相隔第三距离，并且光阻挡层阻挡从像素电极之间的空间泄漏的光线。因此，不需要黑色矩阵，从而提高了孔径比。
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公开(公告)号：CN1165970C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN99124817.1
申请日：1999-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/66765
Abstract: 利用第一光刻步骤，在基板上形成栅线，并连续淀积栅绝缘层和半导体层。淀积可硅化的金属层，从而在半导体层上形成硅化物层，清除剩下的金属层或淀积细微结晶化的经掺杂的非晶硅层，从而形成欧姆接触层。利用第二光刻步骤，将欧姆接触层、半导体层及栅绝缘层图案图形化。此时在栅连接区上形成暴露栅连接区的接触孔。连续淀积ITO层和金属层后，利用第三光刻步骤将其图案图形化，从而形成数据线路、像素电极及冗余栅连接区。之后，清除没有被ITO层或金属层覆盖的欧姆接触层部分。淀积钝化层，再利用第四光刻步骤将其图案图形化，然后，清除没以被钝化层覆盖的像素电极、冗余栅连接区及数据连接区的金属层和半导体层，从而分离相邻两数据线下部的半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1257304A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99124817.1
申请日：1999-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/66765
Abstract: 利用第一光刻步骤,在基板上形成栅线,并连续淀积栅绝缘层和半导体层。淀积可硅化的金属层,从而在半导体层上形成硅化物层,清除剩下的金属层或淀积细微结晶化的经掺杂的非晶硅层,从而形成欧姆接触层。利用第二光刻步骤,将欧姆接触层、半导体层及栅绝缘层图案化。此时在栅连接区上形成暴露栅连接区的接触孔。连续淀积ITO层和金属层后,利用第三光刻步骤将其图案化,从而形成数据线路、像素电极及冗余栅连接区。之后,清除没有被ITO层或金属层覆盖的欧姆接触层部分。淀积钝化层,再利用第四光刻步骤将其图案化,然后,清除没以被钝化层覆盖的像素电极、冗余栅连接区及数据连接区的金属层和半导体层,从而分离相邻两数据线下部的半导体层。
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公开(公告)号：CN100449380C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510069711.5
申请日：2005-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/1339 , G02F1/133351 , G02F2001/13415
Abstract: 形成密封元件的方法和装置包括形成环绕显示区域一部分中的第一密封部分，该显示区域包括一像素，以及形成第二密封部分，该第二密封部分环绕显示区域其余部分，并使限定该第二密封部分的末端与限定该第一密封部分的相应末端相交。因此，可减少形成第一和第二密封元件所需的时间，由此减少制造显示装置的全部加工时间。另外，可减少形成密封元件所需的面积，由此提高显示装置的生产率。
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公开(公告)号：CN102540602A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110410572.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/133707 , G02F1/13439 , G02F2001/134345 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供一种显示器件及其制造方法，该显示器件包括第一基板和在第一基板上的像素电极。该像素电极的厚度为约40纳米(nm)或更小。
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公开(公告)号：CN1673844B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200510071682.6
申请日：2005-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种透反射LCD的制造方法，包括：通过依次沉积透明电极层和栅极金属层在衬底上形成多层；通过构图所述多层，形成栅极线、栅极电极、栅极焊盘形成部分和数据焊盘形成部分；形成栅极绝缘层；形成半导体层；形成数据线、源极电极和漏极电极；形成钝化层和有机绝缘层；通过分别暴露在透明电极的栅极焊盘形成部分和数据焊盘形成部分的接触孔形成栅极焊盘和数据焊盘。因此，本发明的一个目的是提供一种使用较少掩模的透反射LCD的制造方法及所制造的透反射LCD。
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公开(公告)号：CN101685232A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910208502.2
申请日：2004-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/136218
Abstract: 本发明提供一种阵列基底，包括：一透明基底；多个像素电极，其呈矩阵状分布；多个开关器件，其包括栅电极、漏电极及源电极，所述开关器件的漏电极电连结到所述像素电极；一数据线，所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方，所述数据线电连结到所述源电极，并且所述数据线具有一第一宽度；一栅极线，其电连结到所述栅电极；和一光阻挡图案，其阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光，其中所述光阻挡图案重叠至少两个相邻的像素电极，且所述两个相邻像素电极的重叠宽度彼此不同。
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