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公开(公告)号：CN114727417A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210443060.5
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可以包括一种电子设备，所述电子设备包括：通信模块，用于支持第一短距离无线通信和第二短距离无线通信；以及处理器，功能性地连接到通信模块，其中所述处理器被配置为：使用第一短距离无线通信，通过通信模块在频带中的至少一个信道上建立到第一外部设备的连接；在建立了到第一外部设备的连接的同时，识别用于与第二外部设备进行第二短距离无线通信的请求；以及响应于所述请求，使用第二短距离无线通信，在所述频带中的所述至少一个信道上将第二外部设备连接到第一外部设备或外部通信服务器。然而，本发明不限于上述实施例，并且可以包括其它实施例。
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公开(公告)号：CN114727416A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210441284.2
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可以包括一种电子设备，所述电子设备包括：通信模块，用于支持第一短距离无线通信和第二短距离无线通信；以及处理器，功能性地连接到通信模块，其中所述处理器被配置为：使用第一短距离无线通信，通过通信模块在频带中的至少一个信道上建立到第一外部设备的连接；在建立了到第一外部设备的连接的同时，识别用于与第二外部设备进行第二短距离无线通信的请求；以及响应于所述请求，使用第二短距离无线通信，在所述频带中的所述至少一个信道上将第二外部设备连接到第一外部设备或外部通信服务器。然而，本发明不限于上述实施例，并且可以包括其它实施例。
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公开(公告)号：CN108476533B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201680067590.7
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可以包括一种电子设备，所述电子设备包括：通信模块，用于支持第一短距离无线通信和第二短距离无线通信；以及处理器，功能性地连接到通信模块，其中所述处理器被配置为：使用第一短距离无线通信，通过通信模块在频带中的至少一个信道上建立到第一外部设备的连接；在建立了到第一外部设备的连接的同时，识别用于与第二外部设备进行第二短距离无线通信的请求；以及响应于所述请求，使用第二短距离无线通信，在所述频带中的所述至少一个信道上将第二外部设备连接到第一外部设备或外部通信服务器。然而，本发明不限于上述实施例，并且可以包括其它实施例。
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公开(公告)号：CN111430207B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201910964482.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108353265A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066251.7
申请日：2016-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B7/0874 , H04B7/0691 , H04W76/10 , H04W88/06
Abstract: 本公开涉及一种使用近场通信的无线通信方法以及一种电子设备，并且在支持第一近场通信和第二近场通信的电子设备中，在电子设备通过第一近场通信连接到第一外部设备的同时确认对第二近场通信的请求，至少基于该确认来检查与第一外部设备相关的环境信息(例如，电场信号的强度)，并且当该环境信息满足预定条件时，第二外部设备可以通过使用第二近场通信连接到第一外部设备(例如，AP)或经由该电子设备连接到第三外部设备(例如，LTE条件基站(服务器))。另外，其他示例是可行的。
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公开(公告)号：CN119183287A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410739991.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：位线，位于衬底的单元区域上；接触插塞，位于所述位线之间；着陆焊盘，位于所述接触插塞上；外围栅极，位于所述衬底的外围电路区域上；下层间绝缘层，覆盖所述外围栅极的侧表面；外围接触插塞，穿透所述下层间绝缘层；外围互连层，位于所述下层间绝缘层和所述外围接触插塞上；以及外围绝缘结构，在所述外围互连层之间穿过，其中，所述外围绝缘结构包括部分地穿透所述下层间绝缘层的第一外围绝缘结构，并且其中，所述第一外围绝缘结构包括第一外围绝缘层、位于所述第一外围绝缘层上并且在所述外围互连层之间穿过的第二外围绝缘层、和位于所述下层间绝缘层与所述第一外围绝缘层之间的混合物层。
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公开(公告)号：CN108353265B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201680066251.7
申请日：2016-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种使用近场通信的无线通信方法以及一种电子设备，并且在支持第一近场通信和第二近场通信的电子设备中，在电子设备通过第一近场通信连接到第一外部设备的同时确认对第二近场通信的请求，至少基于该确认来检查与第一外部设备相关的环境信息(例如，电场信号的强度)，并且当该环境信息满足预定条件时，第二外部设备可以通过使用第二近场通信连接到第一外部设备(例如，AP)或经由该电子设备连接到第三外部设备(例如，LTE条件基站(服务器))。另外，其他示例是可行的。
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公开(公告)号：CN111430207A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910964482.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。
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