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公开(公告)号：CN104951404B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510138143.3
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F3/0688
Abstract: 本发明提供了一种操作存储器系统的非易失性存储器(NVM)的方法，该方法包括以下步骤：计算从非易失性存储器的多个存储器块中将擦除块分配为自由块的连续分配之间的分配间隔；以及根据分配间隔调整所述多个存储器块的擦除块的数量。擦除块是所述多个存储器块中的具有被擦除的状态的存储器块，而自由块是擦除块中的被选择来写入数据的存储器块。
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公开(公告)号：CN114360592A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111199221.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器装置、主机装置和存储器系统。存储器装置可以包括：多个存储单元，其被配置为存储数据；以及至少一个装置控制器，其被配置为：从至少一个主机装置接收读取命令，并且响应于读取命令读取存储在多个存储单元中的数据，至少一个主机装置包括至少一个主机存储器，至少一个主机存储器包括多个HPB(高性能提升)条目存储区域；以及向至少一个主机装置提供响应命令，响应命令指示多个HPB条目存储区域的激活或停用，响应命令包括指示HPB条目存储区域的HPB条目类型的HPB条目类型信息。
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公开(公告)号：CN111142782B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201910999765.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本申请提供了数据存储装置及数据存储系统。一种数据存储装置包括：第一非易失性存储器，其被配置为存储数据；以及装置控制器，其被配置为控制所述第一非易失性存储器，其中，所述装置控制器可被配置为：接收数据读取命令，所述数据读取命令包括所述第一非易失性存储器的第一逻辑地址、与所述第一逻辑地址对应的第一物理地址以及所述第一非易失性存储器的与所述第一物理地址对应的第一状态信息；使用所述数据读取命令中包括的所述第一状态信息确定第一读取电平；以及向所述第一非易失性存储器的与所述第一物理地址对应的第一字线施加所述第一读取电平的电压，以读取数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117407327A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310599268.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于管理存储器件的重放保护存储器块(RPMB)的方法，包括：在存储器件的RPMB中分配与存储RPMB密钥的RPMB区域分开管理的RPMB主区域；响应于来自主机的请求，将主密钥编程到RPMB主区域中；从主机接收使用主密钥的对RPMB区域的重置请求；响应于对RPMB区域的重置请求，重置RPMB密钥；以及从主机接收对RPMB区域的重置锁定请求。
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公开(公告)号：CN111142782A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910999765.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本申请提供了数据存储装置及数据存储系统。一种数据存储装置包括：第一非易失性存储器，其被配置为存储数据；以及装置控制器，其被配置为控制所述第一非易失性存储器，其中，所述装置控制器可被配置为：接收数据读取命令，所述数据读取命令包括所述第一非易失性存储器的第一逻辑地址、与所述第一逻辑地址对应的第一物理地址以及所述第一非易失性存储器的与所述第一物理地址对应的第一状态信息；使用所述数据读取命令中包括的所述第一状态信息确定第一读取电平；以及向所述第一非易失性存储器的与所述第一物理地址对应的第一字线施加所述第一读取电平的电压，以读取数据。
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公开(公告)号：CN116400850A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310007850.3
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了包括非易失性存储器设备和控制器的存储设备。非易失性存储器设备包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域的存储器单元处于与第二存储器区域的存储器单元不同的电平，而控制器被配置为通过包括在回流工艺的返工之前将存储在第一存储器区域中的基本数据迁移到第二存储器区域的第一操作和在完成回流工艺的返工之后将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第二操作，来控制抵御回流工艺的返工的基本数据保护操作。控制器被配置为向主机提供管理信息，管理信息包括关于抵御返工的基本数据保护操作中的当前状态的第一信息、关于第一存储器区域的第二信息和关于第二存储器区域的第三信息中的至少一个。
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公开(公告)号：CN113836047A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110535812.6
申请日：2021-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：缓冲器，用于从外部接收第一数据和第二数据，并且将第一数据和第二数据存储在第一页上；非易失性存储器，用于将第一数据和第二数据存储在第一块中；和控制器，用于执行通过垃圾收集将第一数据和第二数据编程到彼此不同的空闲块中的编程操作。第一数据可包括标识第一数据的特性的第一流分类号，第二数据可包括标识第二数据的特性并且不同于第一流分类号的第二流分类号。控制器可在执行编程操作之前将编程操作的信息发送到外部。控制器可在从外部接收到编程执行许可命令时执行编程操作。
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公开(公告)号：CN104951404A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510138143.3
申请日：2015-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F3/0688
Abstract: 本发明提供了一种操作存储器系统的非易失性存储器(NVM)的方法，该方法包括以下步骤：计算从非易失性存储器的多个存储器块中将擦除块分配为自由块的连续分配之间的分配间隔；以及根据分配间隔调整所述多个存储器块的擦除块的数量。擦除块是所述多个存储器块中的具有被擦除的状态的存储器块，而自由块是擦除块中的被选择来写入数据的存储器块。
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