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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223616A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111620870.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4076
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括正交误差校正电路、时钟生成电路和数据输入/输出(I/O)缓冲器。正交误差校正电路通过调节基于数据时钟信号生成的第一时钟信号至第四时钟信号的偏移和占空比误差来执行锁定操作以生成第一校正时钟信号和第二校正时钟信号，并且响应于重新锁定信号执行重新锁定操作以将第二校正时钟信号锁定到第一校正时钟信号。时钟生成电路基于第一校正时钟信号和第二校正时钟信号来生成输出时钟信号和选通信号。数据I/O缓冲器通过基于输出时钟信号对来自存储器单元阵列的数据进行采样来生成数据信号，并且将数据信号和选通信号发送到存储器控制器。
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公开(公告)号：CN115223607A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111559801.8
申请日：2021-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
Abstract: 公开了正交误差校正电路和包括其的半导体存储器装置。所述正交误差校正电路包括占空比调节电路、相位内插器、鉴相器和延迟控制电路。占空比调节电路通过以下操作生成其偏移和占空比误差被同时调节的第一校正时钟信号和第二校正时钟信号：基于第一控制码集至第三控制码集和固定控制码集，调节第二时钟信号的边沿的延迟并且调节第一时钟信号的下降沿的延迟。相位内插器通过对从第一调节时钟信号至第四调节时钟信号选择的第二选择时钟信号进行延迟，生成第二延迟选择时钟信号。鉴相器检测第一选择时钟信号与第二延迟选择时钟信号之间的相位差以生成上信号和/或下信号。延迟控制电路基于上信号和/或下信号生成第一控制码集至第四控制码集。
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公开(公告)号：CN118053465A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311516526.0
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
Abstract: 一种半导体设备，具有被配置为提供数据选通信号的存储器控制器、以及被配置为接收从存储器控制器提供的数据信号或将数据信号输出到存储器控制器的存储器设备，其中，该存储器设备包括包含多个DQ驱动电路的存储器接口，该存储器接口被配置为基于数据选通信号生成多个相位时钟信号，基于存储器设备的操作频率确定提供给多个DQ驱动电路的相位时钟信号的数量，以及将所确定的数量的相位时钟信号提供给多个DQ驱动电路。
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公开(公告)号：CN117542394A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310632384.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器装置和设置其兼容性的方法。所述非易失性存储器装置可包括：可变采样器，被配置为响应于控制信号，在放大器模式或采样器模式下对数据信号进行处理；选择电路，被配置为响应于控制信号，经由延迟单元将从可变采样器输出的数据信号发送到触发器，或者经由将延迟单元旁路的路径将从可变采样器输出的数据信号发送到触发器；转换器，被配置为对数据选通信号进行放大；时钟分配网络，被配置为响应于控制信号，将由转换器放大的数据选通信号发送到可变采样器，或者将放大后的数据选通信号延迟预定时间并且将放大后的数据选通信号发送到触发器；以及路径控制器，被配置为根据输入/输出模式生成控制信号。
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公开(公告)号：CN117253513A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310416277.1
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件的输入/输出电路和非易失性存储器件。非易失性存储器件的输入/输出电路包括：驱动器，所述驱动器被配置为从所述非易失性存储器件向数据线输出数据；以及电源门控电路，所述电源门控电路连接在所述驱动器与电源端之间，或者连接在所述驱动器与接地端之间，并且被配置为阻断所述驱动器的泄漏电流。所述电源门控电路包括多个晶体管，所述多个晶体管并联电连接并且分别具有不同大小的阈值电压。
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