公开(公告)号：CN112420668A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010315963.6

申请日：2020-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠炫 ,  崔准容 ,  李泳周

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，所述集成电路器件包括：导电线，包括金属层；以及绝缘盖结构，覆盖导电线。绝缘盖结构包括：第一绝缘盖图案，在绝缘盖结构中与金属层相邻并且具有第一密度；以及第二绝缘盖图案，与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。为了制造所述集成电路器件，在基底上形成具有金属层的导电线，直接在金属层上形成具有第一密度的第一绝缘盖层，并且在第一绝缘盖层上形成具有比第一密度大的第二密度的第二绝缘盖层。

公开(公告)号：CN114975355A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210143718.0

申请日：2022-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金硕炫 ,  金永信 ,  朴桐湜 ,  李钟旼 ,  崔准容

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域；单元区域隔离膜，在所述衬底中并且沿所述单元区域的外边缘延伸；位线结构，在所述衬底上并且在所述单元区域中，其中所述位线结构具有设置在所述单元区域隔离膜上的远端；单元间隔物，在所述位线结构的所述远端的竖直侧表面上；蚀刻停止膜，沿所述单元间隔物的侧表面和所述单元区域隔离膜的顶面延伸；以及层间绝缘膜，在所述蚀刻停止膜上，并且在所述单元间隔物的所述侧表面上，其中所述层间绝缘膜包括氮化硅。

公开(公告)号：CN109768014B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201811324290.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪镇宇 ,  李泳周 ,  崔准容 ,  金廷泫 ,  李尚俊 ,  李贤奎 ,  赵允哲 ,  朴济民 ,  潘孝同

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管，使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分；所述衬底上的绝缘图案，覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层；以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括：位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。

公开(公告)号：CN109768014A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811324290.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪镇宇 ,  李泳周 ,  崔准容 ,  金廷泫 ,  李尚俊 ,  李贤奎 ,  赵允哲 ,  朴济民 ,  潘孝同

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管，使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分；所述衬底上的绝缘图案，覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层；以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括：位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。

公开(公告)号：CN114203703A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111082505.3

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  柳镐仁 ,  蔡教锡 ,  崔准容

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括沟槽和接触凹陷，接触凹陷具有弯曲的表面轮廓；导电图案，位于沟槽中；掩埋接触，包括填充所述接触凹陷的第一部分和位于第一部分上的第二部分；以及间隔物结构，包括第一间隔物和第二间隔物。第二部分可以为柱状，并且其宽度小于第一部分的顶表面的宽度。掩埋接触可以通过间隔物结构与导电图案间隔开。第一间隔物可以在间隔物结构的最外部分处位于掩埋接触的第一部分上。第一间隔物可以沿着掩埋接触的第二部分延伸并接触掩埋接触。第二间隔物沿着导电图案的侧表面和沟槽延伸。第二间隔物可以接触导电图案。第一间隔物可以包括氧化硅。