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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114496023A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111145879.5
申请日：2021-09-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C11/413 , G11C11/416
Abstract: 提供了集成电路存储器装置和静态随机存取存储器装置。集成电路存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)单元和电耦接到所述SRAM单元的电荷存储电路。提供了电耦接到所述电荷存储电路的开关控制器。所述开关控制器和所述电荷存储电路被共同配置为通过以下方式循环与电耦接到所述SRAM单元的位线相关联的电荷来节省功率：(i)一旦SRAM单元写入操作开始，就从所述位线向电耦接到所述SRAM单元内的一对NMOS下拉晶体管的源极端子的电荷存储节点传输电荷，然后(ii)一旦所述SRAM单元写入操作完成，就使至少一部分电荷返回所述位线。
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公开(公告)号：CN114446342A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111063367.4
申请日：2021-09-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 本公开涉及包括具有字线辅助单元的单元阵列的集成电路。集成电路包括：单元阵列，该单元阵列包括在多个第一列中的多个存储单元并且包括在至少一个第二列中的多个字线辅助单元；多条字线，该多条字线分别在单元阵列的多个第一行上延伸并连接到多个存储单元和多个字线辅助单元；以及行驱动器，该行驱动器被配置为驱动多条字线。
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公开(公告)号：CN112925688A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011412493.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/30 , G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 提供了一种用于提高功能安全性的具有故障检测功能的存储设备和包括该存储设备的控制系统。存储设备包括：第一存储单元阵列，被配置为存储输入数据并将输入数据输出为输出数据；和第二存储单元阵列，第被配置为存储其中存储有输入数据的第一存储单元阵列的行地址和列地址的位值，并将行地址和列地址的位值作为内部行地址和内部列地址输出。可以将指定读取操作的行/列地址与内部行/列地址进行比较，并且可以输出作为比较结果的地址比较信号。地址比较信号可以为汽车电子系统的数据错误提供故障检测功能。
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公开(公告)号：CN115346567A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210514866.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C11/419
Abstract: 提供了一种提高操作速度且提高稳定性的伪双端口存储器设备。伪双端口存储器设备可以包括：存储器单元；位线对，其连接到存储器单元；写入驱动器；感应放大器；和列复用器，其连接到位线，接收写入复用器控制信号和读取复用器控制信号，响应于写入复用器控制信号而将位线连接到写入驱动器，并响应于读取复用器控制信号而将位线连接到感应放大器。连接到列复用器的预充电控制信号生成电路可以在读取复用器控制信号和写入复用器控制信号的基础上生成预充电控制信号，并且位线预充电电路可以基于预充电控制信号来对位线预充电。
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公开(公告)号：CN114446351A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111098713.2
申请日：2021-09-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C11/419 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11548
Abstract: 一种集成电路包括单元阵列、多条字线、至少一条写辅助线以及行驱动器，单元阵列包括位于多个第一行中的多个存储单元和位于至少一个第二行中的多个写辅助单元，多条字线分别在多个第一行上延伸，至少一条写辅助线分别在至少一个第二行上延伸，行驱动器连接到多条字线和至少一条写辅助线，行驱动器被配置为：在写操作期间通过至少一条写辅助线启用多个写辅助单元中的至少一个写辅助单元，其中，多个写辅助单元中的每个写辅助单元包括与多个存储单元中的每个存储单元相同的晶体管配置并且具有与多个存储单元中的每个存储单元相同的占用面积。
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