图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN111146217B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN201911015384.3

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 一种图像传感器包括:衬底,所述衬底包括像素区域和焊盘区域;第一导电焊盘,所述第一导电焊盘在所述焊盘区域中位于所述衬底上;微透镜层,所述微透镜层在所述像素区域中位于所述衬底上;以及第一保护图案,所述第一保护图案覆盖所述焊盘区域并暴露所述第一导电焊盘。所述第一保护图案和所述微透镜层包括相同的材料。所述第一保护图案与所述微透镜层彼此分开。

    具有栅格结构的图像传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119698089A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411277851.0

    申请日:2024-09-12

    Abstract: 一种图像传感器可以包括:光电转换元件,在衬底内;分离结构,在衬底内,并且在光电转换元件之间;绝缘结构,在衬底和分离结构上;多个滤色器,在绝缘结构上;栅格结构,包括设置在绝缘结构上的下水平结构、以及连接到下水平结构并覆盖多个滤色器之一的侧表面的竖直结构;上水平结构,覆盖多个滤色器的上表面;以及封盖层,覆盖上水平结构和栅格结构。栅格结构还可以包括被竖直结构、下水平结构和封盖层围绕的气隙。

    图像传感器
    3.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN118352371A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410043362.2

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 一种图像传感器包括:衬底,其包括第一区和设置在第一区的外围中的第二区。第一区包括多个单位像素和滤色器结构,第二区包括虚设结构,虚设结构包括第二滤色器和第二滤色器上的多个虚设透镜。滤色器结构包括在第一方向上延伸的第一延伸部分和在第二方向上延伸的第二延伸部分,并且虚设结构包括在第一方向上延伸的第三延伸部分和在第二方向上延伸的第四延伸部分。第一微透镜、第二微透镜和第三微透镜在第一拐角部分中,并且第一虚设透镜、第二虚设透镜和第三虚设透镜在第二拐角部分中。

    图像传感器
    4.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN117637778A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202310614735.2

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 一种图像传感器包括:像素、位于所述像素上的后侧抗反射层、位于所述后侧抗反射层上的滤色器、位于所述滤色器上的滤色器覆盖层、位于所述滤色器覆盖层上的钝化层、位于所述钝化层上的微透镜、位于所述微透镜上的第一封盖层以及位于所述第一封盖层上的第二封盖层。

    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN111146217A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911015384.3

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 一种图像传感器包括:衬底,所述衬底包括像素区域和焊盘区域;第一导电焊盘,所述第一导电焊盘在所述焊盘区域中位于所述衬底上;微透镜层,所述微透镜层在所述像素区域中位于所述衬底上;以及第一保护图案,所述第一保护图案覆盖所述焊盘区域并暴露所述第一导电焊盘。所述第一保护图案和所述微透镜层包括相同的材料。所述第一保护图案与所述微透镜层彼此分开。

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