公开(公告)号：CN114442918A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111260222.3

申请日：2021-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李美珍 ,  金东润 ,  金玟赫 ,  金成峻 ,  文盛业 ,  李钟荣

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了存储器模块及其操作方法。所述存储器模块包括：多个动态随机存取存储器(DRAM)；控制器，被配置为控制DRAM的操作；以及有源装置，被配置为：响应于检测到在所述多个DRAM中的至少一个中发生的错误，生成中断并存储与错误对应的错误信息。

公开(公告)号：CN107491397A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710328968.0

申请日：2017-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文盛业

IPC: G06F12/08

CPC classification number: G06F12/123 ,  G06F12/0891 ,  G06F12/0895 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/60 ,  G06F12/08

Abstract: 本发明提供一种存储设备、存储模块及存储设备的操作方法。该存储设备包括单元阵列、缓存策略设置电路以及缓存逻辑。单元阵列存储多条缓存线和对应于多条缓存线的多个标签，缓存策略设置电路从多个管理策略中选择至少一个管理策略，并且基于所述至少一个选择的管理策略设置缓存策略，以及缓存逻辑基于所述缓存策略管理所述多条缓存线。