公开(公告)号：CN102467971B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110361944.8

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙钟弼 ,  张星珍 ,  文炳植 ,  朴周燮

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C17/14 ,  G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。

公开(公告)号：CN102467971A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110361944.8

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙钟弼 ,  张星珍 ,  文炳植 ,  朴周燮

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C17/14 ,  G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。

公开(公告)号：CN117476066A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310201085.9

申请日：2023-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东河 ,  金玄基 ,  朴晟喆 ,  朴周燮 ,  李东洙

IPC: G11C11/406 ,  G06F21/79

Abstract: 在存储器件中，控制电路在随机时间处检测并确定攻击者行地址，该攻击者行地址指示存储单元阵列的攻击者行。攻击者行地址或从该攻击者行地址导出的值存储在队列中。控制电路响应于目标刷新命令，基于攻击者行地址来控制一个或多个受害者行的刷新操作。