公开(公告)号：CN1519562A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410005810.2

申请日：2004-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣希 ,  李守 ,  林根培 ,  李英善

IPC: G01N33/48 ,  C03C17/34

CPC classification number: B01L3/508 ,  B01L7/52 ,  B01L2300/163 ,  B05D1/62 ,  B05D2203/35 ,  C03C17/30

Abstract: 提供了一种处理生化反应体系中所用基质表面的方法，该方法包括通过汽相沉积式(1)化合物和式(2)化合物而在所述表面上形成聚合物膜：其中，R是甲基与乙基中的一个，X是甲基与三氟甲基中的一个，n1是1－3的整数，n2是1－10的整数，m是1－10的整数。(RO)3－Si－(CH2)n1－X (1)(RO)3－Si－(CH2)n2－(CF2)m－X (2)

公开(公告)号：CN1255682C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410005810.2

申请日：2004-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣希 ,  李守 ,  林根培 ,  李英善

IPC: G01N33/543 ,  C12Q1/68 ,  C03C17/34

CPC classification number: B01L3/508 ,  B01L7/52 ,  B01L2300/163 ,  B05D1/62 ,  B05D2203/35 ,  C03C17/30

Abstract: 提供了一种处理生化反应体系中所用基质表面的方法，该方法包括通过汽相沉积下式(1)化合物和下式(2)化合物而在所述表面上形成聚合物膜：其中，R是甲基与乙基中的一个，X是甲基与三氟甲基中的一个，n1是1-3的整数，n2是1-10的整数，m是1-10的整数。(RO)3-Si-(CH2)n1-X (1)；(RO)3-Si-(CH2)n2-(CF2)m-X (2)。