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公开(公告)号:CN101174070A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200710184954.2
申请日:2007-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , G09G3/20
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G2320/0219 , G09G2320/041
Abstract: 本发明提供了一种栅极驱动电路、具有该栅极驱动电路的显示装置和改善显示装置的方法。在栅极驱动电路和具有该电路的显示装置中,一个接一个相互连接并顺序输出栅极信号的多个级中的当前级的上拉晶体管将通过输出端输出的当前栅极信号上拉至栅极导通电压。缓冲晶体管连接到上拉晶体管的控制端,以接收来自前一级的前一输出信号并导通上拉晶体管。缓冲晶体管的荷电率是上拉晶体管的荷电率的大约两倍或更大,因此,可以减小上拉晶体管的尺寸,从而防止当在高温或低温的条件下操作栅极驱动电路时栅极驱动电路出现故障。
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公开(公告)号:CN101174070B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200710184954.2
申请日:2007-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , G09G3/20
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G2320/0219 , G09G2320/041
Abstract: 本发明提供了一种栅极驱动电路、具有该栅极驱动电路的显示装置和改善显示装置的方法。在栅极驱动电路和具有该电路的显示装置中,一个接一个相互连接并顺序输出栅极信号的多个级中的当前级的上拉晶体管将通过输出端输出的当前栅极信号上拉至栅极导通电压。缓冲晶体管连接到上拉晶体管的控制端,以接收来自前一级的前一输出信号并导通上拉晶体管。缓冲晶体管的荷电率是上拉晶体管的荷电率的大约两倍或更大,因此,可以减小上拉晶体管的尺寸,从而防止当在高温或低温的条件下操作栅极驱动电路时栅极驱动电路出现故障。
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