公开(公告)号：CN103578559B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201310306175.0

申请日：2013-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张敏洙 ,  徐宁焄 ,  李燦勇

IPC: G11C17/16

Abstract: 公开了多电平反熔丝存储器装置及其操作方法。本发明提供了一种反熔丝存储器装置，该反熔丝存储器装置包括反熔丝存储器单元、基准电流产生部件和比较部件。反熔丝存储器单元包括反熔丝。基准电流产生部件提供从多个基准电流中选择的基准电流。比较部件将流过反熔丝的单元电流的强度与基准电流的强度比较并且提供与比较结果对应的输出信号。

公开(公告)号：CN103578559A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310306175.0

申请日：2013-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张敏洙 ,  徐宁焄 ,  李燦勇

IPC: G11C17/16

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C11/5692 ,  G11C17/18 ,  G11C2211/5624 ,  G11C2211/563

Abstract: 公开了多电平反熔丝存储器装置及其操作方法。本发明提供了一种反熔丝存储器装置，该反熔丝存储器装置包括反熔丝存储器单元、基准电流产生部件和比较部件。反熔丝存储器单元包括反熔丝。基准电流产生部件提供从多个基准电流中选择的基准电流。比较部件将流过反熔丝的单元电流的强度与基准电流的强度比较并且提供与比较结果对应的输出信号。