公开(公告)号：CN101393965B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。

公开(公告)号：CN101393965A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。